Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 335 questões
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEGESP-AL
Prova:
CESPE - 2013 - SEGESP-AL - Perito Criminal - Engenharia |
Q458481
Engenharia Eletrônica
No que se refere às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens de subsequentes.
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2,VTN = 1V e λ = 0,0133V-1 , é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando-se a parte fracionária do resultado e utilizando-se √1,2=1,1
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2,VTN = 1V e λ = 0,0133V-1 , é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando-se a parte fracionária do resultado e utilizando-se √1,2=1,1
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Elétrica |
Q454072
Engenharia Eletrônica
A fonte de alimentação regulada da Figura abaixo usa um transistor de junção NPN e um diodo zener, ambos consideradosideais. O zener serve para manter a tensão de referência, com o objetivo de regular a tensão sobre a carga resistiva.
Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
Ano: 2012
Banca:
FMP Concursos
Órgão:
PROCEMPA
Prova:
FMP Concursos - 2012 - PROCEMPA - Engenheiro |
Q443615
Engenharia Eletrônica
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo.
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
LIQUIGÁS
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - LIQUIGÁS - Engenheiro Júnior - Elétrica |
Q438734
Engenharia Eletrônica
A Figura abaixo apresenta um circuito no qual o transistor bipolar Q1 é utilizado para controlar a potência dissipada pelo resistor de carga RL , e o gráfico com a evolução no tempo da tensão de controle VCTRL .
Considere que o transistor Q1 apresenta parâmetro β = 80, |VBE| = 0,7 V quando conduzindo corrente elétrica e |VCE| = 0,2 V quando operando em saturação.
Dessa forma, a potência média, em watts, dissipada pelo resistor de carga RL é
Considere que o transistor Q1 apresenta parâmetro β = 80, |VBE| = 0,7 V quando conduzindo corrente elétrica e |VCE| = 0,2 V quando operando em saturação.
Dessa forma, a potência média, em watts, dissipada pelo resistor de carga RL é
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica-2012 |
Q431703
Engenharia Eletrônica
Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431455
Engenharia Eletrônica
Na figura acima, é apresentado o circuito de um conversor CC-CC do tipo Buck-boost.
Sobre esse conversor, considere as afirmativas a seguir.
I - A tensão na saída V0 apresenta uma polaridade invertida em relação à tensão na entrada Vl do conversor.
II - O módulo da tensão na saída V0 será menor que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Buck, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo descontínuo.
III - O módulo da tensão na saída V0 será maior que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Boost, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo contínuo.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431452
Engenharia Eletrônica
No circuito da figura acima, considere que ambos os transistores possuem um parâmetro ß muito elevado, de maneira que a corrente de base pode ser considerada desprezível em comparação com a corrente de coletor. Além disso, considere VBE= 0,7 V para ambos os transistores quando a junção base-emissor estiver diretamente polarizada. Dessa forma, verifica-se que
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431451
Engenharia Eletrônica
No circuito da figura abaixo, o amplificador operacional é ideal, e o transistor apresenta um parâmetro ß elevado o suficiente para que a corrente de base seja considerada desprezível em comparação com a corrente de coletor.
A partir do gráfico apresentado na figura com a forma de onda da tensão aplicada à entrada Vi do circuito, qual seria o gráfico da forma de onda da tensão na saída V0 ?
A partir do gráfico apresentado na figura com a forma de onda da tensão aplicada à entrada Vi do circuito, qual seria o gráfico da forma de onda da tensão na saída V0 ?
Ano: 2013
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
LIQUIGÁS
Prova:
CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - Engenheiro Júnior - Elétrica |
Q425853
Engenharia Eletrônica
O circuito da Figura abaixo é empregado para controlar o acendimento de um LED, de acordo com um sinal digital 
. Para esse sinal, 
= 5,0 V representa nível lógico ALTO, e 
= 0,0 V representa nível lógico BAIXO. Nesse circuito, considere que o transistor possui um ganho ß = 100, apresenta 
= 0,7 V quando em condução e 
= 0,2 V quando operando em saturação. Já o LED apresenta uma queda de tensão de 1,5 V quando estiver conduzindo corrente elétrica.
Portanto, o nível lógico do sinal
que faz o LED acender e o valor da corrente elétrica 
, em miliampères, nessa circunstância são, respectivamente:
. Para esse sinal, = 5,0 V representa nível lógico ALTO, e = 0,0 V representa nível lógico BAIXO. Nesse circuito, considere que o transistor possui um ganho ß = 100, apresenta = 0,7 V quando em condução e = 0,2 V quando operando em saturação. Já o LED apresenta uma queda de tensão de 1,5 V quando estiver conduzindo corrente elétrica.Portanto, o nível lógico do sinal
que faz o LED acender e o valor da corrente elétrica , em miliampères, nessa circunstância são, respectivamente:
Ano: 2013
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
LIQUIGÁS
Prova:
CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - Engenheiro Júnior - Elétrica |
Q425847
Engenharia Eletrônica
A junção PN é a base para a construção de vários dispositivos eletrônicos, como os diodos retificadores e transistores.
Ao aplicar uma fonte de tensão
a uma junção PN, conforme mostrado na Figura acima, se a tensão for
Ao aplicar uma fonte de tensão
a uma junção PN, conforme mostrado na Figura acima, se a tensão for
Ano: 2014
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Polícia Federal
Prova:
CESPE - 2014 - Polícia Federal - Engenheiro Eletricista |
Q404913
Engenharia Eletrônica
No que se refere às características de circuitos eletrônicos analógicos e digitais, julgue os seguintes itens.
No circuito analógico abaixo, que contém um transistor bipolar de junção do tipo NPN polarizado no modo ativo, a tensão entre coletor e emissor é superior a 8 V e inferior a 10 V.
No circuito analógico abaixo, que contém um transistor bipolar de junção do tipo NPN polarizado no modo ativo, a tensão entre coletor e emissor é superior a 8 V e inferior a 10 V.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397788
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura I, o ganho de tensão da entrada para a saída é igual a 10.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397787
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura III, como o transistor está operando na região ativa, ambas as junções base-emissor e coletor-base estão polarizadas diretamente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397786
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
O amplificador ilustrado na figura III está na configuração coletor comum e possui ganho unitário.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397785
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura II, se um capacitor com capacitância de 100 nF for adicionado em paralelo com o resistor de resistência 10 kΩ, então o circuito terá uma resposta em frequência do tipo passa-baixa, cuja frequência de corte é superior a 10 Hz.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397784
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura II, a razão entre a tensão de saída e a de entrada é igual a -10.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397783
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
A impedância de saída do amplificador realimentado mostrado na figura I é igual a 10 kΩ.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397782
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura I, a impedância de entrada vista pela fonte de tensão vi(t) é igual a 5 kΩ.
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 4ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381120
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Para responder às questões , considere o circuito abaixo, onde o diodo D1 encontra-se aberto por estar danificado.
Conforme a condição descrita, o formato do sinal de saída é, aproximadamente,
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.
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