Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

O conversor CC-CC está operando no modo contínuo de corrente, com o transistor Q1 operando como chave, na frequência de chaveamento f, conforme mostra a figura abaixo. Leia as proposições.

I. Neste modo de operação, a tensão de saída é sempre menor ou igual a tensão de entrada.

II. A cada vez que o transistor Q1 conduz, energia da fonte de entrada é transferida ao capacitor C1, e quando Q1 abre, a energia da entrada é transferida ao indutor L1.

III. A corrente de carga no indutor é não-linear, dado pela equação V_L(t) = L di(t)/dt

IV. A corrente no capacitor C1 é tal que a tensão sobre C1 tende a permanece relativamente constante, dado por ic(t) = C dv/dt

Assinale a alternativa correta:

Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.

I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.

II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.

III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V

IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.

Assinale a alternativa correta:

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (V_D= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.

Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Em relação ao transistor MosFet e seus modelos, é correto afirmar:

Em relação ao transistor bipolar de junção (TBJ), seus modelos e métodos de polarização, assinale a afirmativa correta.

Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de I_CQ e V_CEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.

I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

Com relação às afirmativas é correto afirmar.

No circuito de acionamento de uma resistência de aquecimento ilustrado na figura precedente, observam-se três fontes de tensão eletricamente isoladas: duas fontes de corrente contínua, de 24 V e 30 V, e uma fonte de corrente alternada com tensão eficaz de 220 V. Nesse circuito, quando se fechar a chave SW1,

No circuito da figura abaixo, o transistor PNP tem β = 100 e V_BE = - 0,7 V. Sendo R₁ = 20 KΩ, R₂ = 20 KΩ, R_C = 3 KΩ, R_E = 1 KΩ e V_CC = 10 V, qual o valor da corrente I_C?

No circuito representado na figura a seguir, a corrente de coletor I_C é de 0,99 I_E mA e a tensão da junção base-emissor é de 0,7 volts. A tensão de coletor (V_C) e a corrente de emissor (I_E) são, respectivamente, iguais a

Um transistor de junção bipolar do tipo pnp opera na região ativa se

No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em V_B, o valor de V_D, em V, será

Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é

Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ) do tipo NPN. Com a corrente de base (I_B) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a I_B caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso, coloca-se um