Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

Foram encontradas 337 questões

Q846750 Engenharia Eletrônica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.


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Fonte: FUNCERN, 2017.


Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Alternativas
Q846743 Engenharia Eletrônica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (VD= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.


Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Alternativas
Q838735 Engenharia Eletrônica

Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.


I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.


Com relação às afirmativas é correto afirmar.

Alternativas
Q836053 Engenharia Eletrônica

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No circuito de acionamento de uma resistência de aquecimento ilustrado na figura precedente, observam-se três fontes de tensão eletricamente isoladas: duas fontes de corrente contínua, de 24 V e 30 V, e uma fonte de corrente alternada com tensão eficaz de 220 V. Nesse circuito, quando se fechar a chave SW1,

Alternativas
Q830812 Engenharia Eletrônica

No circuito da figura abaixo, o transistor PNP tem β = 100 e VBE = - 0,7 V. Sendo R1 = 20 KΩ, R2 = 20 KΩ, RC = 3 KΩ, RE = 1 KΩ e VCC = 10 V, qual o valor da corrente IC?


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Alternativas
Q830616 Engenharia Eletrônica

No circuito representado na figura a seguir, a corrente de coletor IC é de 0,99 IE mA e a tensão da junção base-emissor é de 0,7 volts. A tensão de coletor (VC) e a corrente de emissor (IE) são, respectivamente, iguais a


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Alternativas
Q830609 Engenharia Eletrônica
Um transistor de junção bipolar do tipo pnp opera na região ativa se
Alternativas
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Mecatrônica |
Q807593 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito abaixo e defina os valores de saída preenchendo a tabela.

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Assinale a alternativa que contém a sequência correta de valores da saída da tabela, da primeira linha para a última.

Alternativas
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Mecatrônica |
Q807592 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito abaixo e defina os valores de saída preenchendo a tabela.

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Assinale a alternativa que contém a sequência correta de valores da saída da tabela da primeira linha para a última.

Alternativas
Q803251 Engenharia Eletrônica

Numere a COLUNA II de acordo com a COLUNA I, associando cada componente eletrônico à sua curva característica.

COLUNA I

1. UJT

2. FET

3. DIAC

4. FOTODIODO

5. BJT

6. SHOCKLEY


COLUNA II

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Assinale a alternativa CORRETA.

Alternativas
Q797181 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.


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Este circuito representa um amplificador de sinal na configuração:

Alternativas
Q796661 Engenharia Eletrônica
O dispositivo representado abaixo é chamado de Imagem associada para resolução da questão
Alternativas
Q796654 Engenharia Eletrônica
O transistor é um componente muito usado na construção de circuitos amplificadores de sinais. Para a curva de um transistor, mostrada abaixo, o ganho CC do transistor para uma corrente de base de 50μA, na região ativa, é
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Alternativas
Q795366 Engenharia Eletrônica
Sobre as características dos DIAC, SCR e TRIAC, é correto dizer-se que
Alternativas
Q795360 Engenharia Eletrônica
Com relação às características do transistor bipolar de junção, é correto afirmar-se que
Alternativas
Ano: 2017 Banca: UFMT Órgão: UFSBA Prova: UFMT - 2017 - UFSBA - Engenheiro Eletricista |
Q788564 Engenharia Eletrônica
Sobre eletrônica analógica, assinale a afirmativa INCORRETA.
Alternativas
Q786392 Engenharia Eletrônica
São características de fontes de alimentação chaveadas, EXCETO:
Alternativas
Q786385 Engenharia Eletrônica
VGS (off) é um parâmetro presente nas folhas de dados de um JFET. Este parâmetro corresponde à:
Alternativas
Q786383 Engenharia Eletrônica

O circuito da figura a seguir representa uma polarização do TBJ. Analise-o.

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O ponto quiescente do circuito é representado na alternativa:

(Considere: Vbe = 0,7V e β = 100.)

Alternativas
Q786378 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.

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Dado o circuito representado pela figura, o valor de VCE e a região de operação do circuito são, respectivamente:

(Considere: Vbe = 0,7V e β = 100.)

Alternativas
Respostas
121: D
122: C
123: A
124: A
125: B
126: A
127: B
128: A
129: D
130: C
131: A
132: A
133: A
134: C
135: A
136: D
137: C
138: D
139: B
140: A