Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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Para o circuito da figura abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no dreno do transistor VD.
Dado o circuito apresentado abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor VC.
Acerca do funcionamento dos transistores bipolares, analise as proposições a seguir.
1) Os dois modos básicos para operar um transistor são a polarização de base (circuitos de chaveamento) e a polarização de emissor (circuitos amplificadores).
2) O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do emissor pela corrente de base (IE/IB).
3) Se num circuito com um transistor o resistor de base for curto-circuitado, o transistor será danificado.
Está(ão) correta(s):
Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.
Os transistores utilizados no circuito são do tipo depleção, não
sendo necessária a aplicação de uma tensão na porta para que
o canal seja formado.
Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.
O circuito apresentado é uma porta lógica da família TTL.
Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.
No circuito em questão, quando VI
= 0, a saída V0 = 0.
Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.
O circuito apresentado utiliza a tecnologia CMOS.
Com base na Figura 10 e no conhecimento de portas lógicas em eletrônica digital, assinale a alternativa correta.
Dado o circuito da Figura 9, assinale a alternativa que apresenta os valores de I b, Ic e vO, considerando VBE=0,7 V e β = 50.
Assinale a alternativa que apresenta o valor do ganho de tensão VO/VS, considerando VBE = 0,7 V e Ib = 0,07 mA, para o circuito da Figura 8.
Nesse sentido, o circuito equivalente ao apresentado acima que produz a mesma corrente de polarização no transistor Q1 será:
Atente à figura a seguir.
Adote VBE=0,7 V e IE=IC.
Admitindo-se que a resistência do LDR seja igual a
zero, o valor correto da tensão entre coletor e emissor
do transistor Q2, VCE é
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o
substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo
N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como
semicondutores do tipo P.
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