Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 335 questões
Q74992
Engenharia Eletrônica
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q73625
Engenharia Eletrônica
O esquema abaixo representa um circuito digital de controle, família TTL, que deve acionar uma carga CA por meio de uma interface de potência.
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2010 - DPE-SP - Engenheiro Elétrico - Agente de Defensoria |
Q73173
Engenharia Eletrônica
Uma saída TTL deve acionar um motor DC em nível alto por meio do circuito abaixo:
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
Q70248
Engenharia Eletrônica
Qual é a tensão de saída 
do circuito mostrado?
do circuito mostrado?
Q64208
Engenharia Eletrônica
"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Q64195
Engenharia Eletrônica
É um dispositivo optoeletrônico:
Q57303
Engenharia Eletrônica
A interface de potência abaixo deve ser utilizada para acionar um motor DC de 12 V/200 mA por meio de uma tensão de entrada 
= 5 V.
São dadas as especificações do transistor e do diodo:
Transistor:
= 1 A
= 45 V
= 50
= 0,7 V
= 0,2 V
Diodo:
= 1 A
= 400 V
O valor nominal do resistor
que atende às especificações do projeto é
= 5 V.São dadas as especificações do transistor e do diodo:
Transistor:
= 1 A= 45 V= 50= 0,7 V= 0,2 VDiodo:
= 1 A = 400 VO valor nominal do resistor
que atende às especificações do projeto é
Q57298
Engenharia Eletrônica
Um manual fornece os seguintes parâmetros de um circuito integrado digital TTL:
Considere as afirmações abaixo.
I. O circuito integrado entende como nível lógico "1" em sua entrada uma tensão entre 2,0 e 5,0 V.
II. O circuito integrado entende como nível lógico "0" em sua entrada uma tensão entre 0,8 e 2,0 V.
III. O circuito integrado fornece como nível lógico "1" em sua saída uma tensão entre 0,4 V e 2,4 V.
IV. O circuito integrado fornece como nível lógico "0" em sua saída uma tensão entre zero e 0,4 V
Esta correto o que se afirma SOMENTE em
Considere as afirmações abaixo.
I. O circuito integrado entende como nível lógico "1" em sua entrada uma tensão entre 2,0 e 5,0 V.
II. O circuito integrado entende como nível lógico "0" em sua entrada uma tensão entre 0,8 e 2,0 V.
III. O circuito integrado fornece como nível lógico "1" em sua saída uma tensão entre 0,4 V e 2,4 V.
IV. O circuito integrado fornece como nível lógico "0" em sua saída uma tensão entre zero e 0,4 V
Esta correto o que se afirma SOMENTE em
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23739
Engenharia Eletrônica
Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731
Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19547
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19546
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
Ano: 2021
Banca:
FGV
Órgão:
FUNSAÚDE - CE
Prova:
FGV - 2021 - FUNSAÚDE - CE - Engenheiro Eletricista |
Q1841269
Engenharia Eletrônica
A figura a seguir apresenta uma polarização típica de um circuito
amplificador transistorizado alimentado por uma bateria - VCC de
20 V. A corrente no emissor é igual a 5mA e os resistores Re e RC
são, respectivamente, iguais a 0,4 kΩ e 2 kΩ.
Considerando que a corrente de base é de 1,0 mA, as quedas de tensão nos resistores Re e Rc são, respectivamente, iguais a
Considerando que a corrente de base é de 1,0 mA, as quedas de tensão nos resistores Re e Rc são, respectivamente, iguais a
Ano: 2019
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
NC-UFPR - 2019 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Jr - Engenharia Eletrônica |
Q971790
Engenharia Eletrônica
A respeito de transistores, considere as seguintes afirmativas:
1. O transistor bipolar de junção (TBJ) possui grande confiabilidade sob condições ambientais severas.
2. Quando um transistor TBJ opera no modo de saturação, o aumento da tensão entre coletor e base na direção negativa reduz a corrente de coletor.
3. O transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) não pode ser fabricado em dimensões pequenas.
4. Devido a suas características físicas construtivas, o transistor MOSFET não pode ser utilizado como chave.
Assinale a alternativa correta.
Ano: 2018
Banca:
FGV
Órgão:
COMPESA
Prova:
FGV - 2018 - COMPESA - Analista de Saneamento - Engenheiro Eletrotécnico |
Q919515
Engenharia Eletrônica
A respeito dos conversores CA-CC, CA-CA e CC-CC, considere as
afirmativas a seguir.
I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor. II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em CC, onde o controle da tensão CC é feito por meio da variação da tensão CA de entrada. III. O conversor CA-CA permite a obtenção de uma tensão CA variável a partir de uma tensão CA fixa de entrada.
Está correto o que se afirma em
I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor. II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em CC, onde o controle da tensão CC é feito por meio da variação da tensão CA de entrada. III. O conversor CA-CA permite a obtenção de uma tensão CA variável a partir de uma tensão CA fixa de entrada.
Está correto o que se afirma em
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