A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível m...
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Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q781910
Engenharia Eletrônica
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo
de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção.
Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado
no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI
(t) e à carga RL
nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações,
julgue o seguinte item.
O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída vO(t) eentrada vI(t) é dado por -RLG.
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Va = - Vi
IL = - GVi
Vo = IL * RL
Vo = -GVi * RL
Vo/Vi = -G*RL
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