Questões de Concurso Público Telebras 2015 para Engenheiro - Engenharia da Computação

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Q647586
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2015 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: Telebras Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647586 Engenharia Eletrônica
Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.
Alternativas
Respostas
2: C
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