Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um ...
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Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647586
Engenharia Eletrônica
Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.