Questões de Concurso Público CTI 2024 para Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia

Foram encontradas 18 questões

Q2364381 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.



Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos gradientes de concentração. 

Alternativas
Q2364382 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se movem da região de maior concentração para a região de menor concentração; esse movimento define uma corrente elétrica denominada corrente de difusão.

Alternativas
Q2364383 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.

Alternativas
Q2364384 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.



Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Alternativas
Q2364385 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Alternativas
Q2364386 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Alternativas
Q2364387 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Alternativas
Q2364389 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.


Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Alternativas
Q2364391 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Alternativas
Q2364392 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Alternativas
Q2364393 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.


Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes. 

Alternativas
Q2364394 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Alternativas
Q2364395 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.


A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta uma desvantagem com relação à precisão de espessura do material, difícil de replicar.

Alternativas
Q2364396 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.



A pulverização catódica (sputtering) é um processo de deposição química de vapor (CVD) através de evaporação térmica. 

Alternativas
Q2364397 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.


As técnicas de deposição para filmes finos podem ser classificadas em deposição física de vapor (PVD) e deposição química de vapor (CVD).

Alternativas
Q2364400 Eletrônica
Julgue o próximo item, relativos às técnicas de corrosão úmida e a seco nos processos de fabricação de circuitos microeletrônicos. 


A técnica de corrosão úmida possui uma vantagem com relação à corrosão a seco, pois é um processo isotrópico, que atua uniformemente em todas as direções.
Alternativas
Q2364415 Eletrônica
Julgue o item que se segue, em relação a projeto de sistemas e circuitos integrados com dispositivos de baixo consumo e alta eficiência energética e a aplicações em sistemas puramente digitais ou com sinais mistos.

Para otimizar a eficiência dos circuitos analógicos e de modo misto, uma prática comum é utilizar trilhas estreitas de polissilício para rotas de sinais que carregam corrente, visando reduzir a capacitância parasita, mesmo que isso possa resultar em um aumento da resistência do circuito; essa abordagem é frequentemente empregada na indústria para melhorar o desempenho geral do circuito. 
Alternativas
Q2364422 Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.



A tecnologia de interconexões wire-bonding é apropriada para uso em alta densidade de conexões, com mais de 200 I/Os por chip


Alternativas
Respostas
1: E
2: C
3: C
4: E
5: C
6: C
7: E
8: E
9: C
10: E
11: C
12: E
13: E
14: E
15: C
16: E
17: E
18: E