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CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Desenvolvimento e Integração de Instrumentação Científica e Planejamento e Execução de Atividades em Laboratórios de Pesquisa e Desenvolvimento Tecnológico
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Questões de Concurso Público LNA 2024 para Tecnologista – Especialidade: Desenvolvimento e Integração de Instrumentação Científica e Planejamento e Execução de Atividades em Laboratórios de Pesquisa e Desenvolvimento Tecnológico

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Q2470169

Engenharia Elétrica Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica , Máquinas Elétricas ,

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: LNA Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Desenvolvimento e Integração de Instrumentação Científica e Planejamento e Execução de Atividades em Laboratórios de Pesquisa e Desenvolvimento Tecnológico |

Q2470169 Engenharia Elétrica

Em filmes de metais ferromagnéticos separados por metais não magnéticos, o eixo de fácil magnetização está

Alternativas

a 30° em relação à normal ao plano do filme.

a 45° em relação à normal ao plano do filme.

a 60° em relação à normal ao plano do filme.

perpendicular ao plano do filme.

paralelo ao plano do filme.

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Q2470170

Engenharia Elétrica Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica ,

Q2470170 Engenharia Elétrica

A polarização de troca, observada em bicamadas com um material ferromagnético e um antiferromagnético, caracteriza-se por

Alternativas

anular o campo coercitivo quando os filmes são resfriados acima da temperatura de bloqueio do material antiferromagnético.

manter o ciclo de histerese magnética ao longo do campo magnético.

manter o campo coercitivo quando os filmes são resfriados acima da temperatura de bloqueio do material antiferromagnético.

deslocar o ciclo de histerese magnética ao longo do campo magnético.

reduzir o campo coercitivo quando os filmes são resfriados acima da temperatura de bloqueio do material antiferromagnético.

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Q2470171

Engenharia Elétrica Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica ,

Q2470171 Engenharia Elétrica

Nas técnicas de deposição de filmes finos, podem-se utilizar métodos químicos ou físicos. Nesse contexto, é um método químico

Alternativas

spin-coating.

evaporação.

sputtering.

CVD em baixa pressão.

reactive sputtering.

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Q2470172

Física Física Moderna ,

Q2470172 Física

Na técnica de deposição de filmes finos, é desejável, entre outros requisitos,

Alternativas

alta densidade de pinholes.

baixa aderência do filme à superfície.

taxa de produção reduzida.

ausência de cobertura de degraus.

estequiometria controlada.

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Q2470173

Física Física Moderna ,

Q2470173 Física

Acerca da técnica de deposição química por vapor, assinale a opção correta.

Alternativas

É inviável a utilização dessa técnica com filmes de óxido de silício.

A deposição química por vapor é um método de crescimento escalonável para a síntese de filmes finos.

Uma baixa razão de velocidade, em moléculas por segundo, implica uma espessura pouco controlada.

A velocidade de reação da superfície depende da pressão.

A referida técnica é ineficiente para a produção de dispositivos para aplicações em optoeletrônica.

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