Acerca da técnica de deposição química por vapor, assinale a...

A alternativa correta é:

B) A deposição química por vapor é um método de crescimento escalonável para a síntese de filmes finos.

Justificativas para cada alternativa:

A) "É inviável a utilização dessa técnica com filmes de óxido de silício."

Errado. A deposição química por vapor (CVD) é amplamente utilizada para a produção de filmes de óxido de silício (SiO₂), que são essenciais para a fabricação de dispositivos semicondutores e eletrônicos.

B) "A deposição química por vapor é um método de crescimento escalonável para a síntese de filmes finos."

Correto. A CVD é um método escalonável e amplamente utilizado para depositar filmes finos com alta uniformidade e controle de espessura, podendo ser aplicado em grandes áreas e em diferentes tipos de substratos.

C) "Uma baixa razão de velocidade, em moléculas por segundo, implica uma espessura pouco controlada."

Errado. A velocidade de deposição pode ser ajustada para controlar a espessura do filme. Em geral, uma baixa taxa de deposição permite um controle mais preciso da espessura e da uniformidade.

D) "A velocidade de reação da superfície depende da pressão."

Errado. A velocidade de reação depende de vários fatores, como temperatura, concentração dos reagentes e, em alguns casos, da pressão. No entanto, a pressão não é o único fator determinante para a velocidade de reação.

E) "A referida técnica é ineficiente para a produção de dispositivos para aplicações em optoeletrônica."

Errado. A CVD é muito utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como LEDs, lasers e células solares, devido à sua capacidade de produzir camadas de alta qualidade com boas propriedades ópticas e eletrônicas.

Portanto, a alternativa B é a correta, pois descreve com precisão uma característica fundamental da técnica de deposição química por vapor (CVD).