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FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites
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Q2523583

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |

Q2523583 Engenharia Eletrônica

Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.

Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

Alternativas

Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23C).

A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.

Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.

Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.

Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.

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Q2523584

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |

Q2523584 Engenharia Eletrônica

Diodos são importantes componentes eletrônicos amplamente utilizados em diversos tipos de circuitos.

Sobre os diodos, assinale a afirmativa correta.

Alternativas

São formados pela junção de dois materiais diferentes da tabela periódica, um da família 3A e o outro da família 5A.

Apresentam pequenas variações na sua tensão durante grandes variações na corrente conduzida, caso estejam diretamente polarizados.

Podem resistir a elevados níveis de tensão na polarização inversa, caso sejam do tipo Zener.

Podem ter sua queda de tensão reduzida caso sejam ligados em paralelo e estejam diretamente polarizados.

São dispositivos que apresentam comportamento tensão por corrente aproximadamente linear.

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Q2523585

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |

Q2523585 Engenharia Eletrônica

Ao projetar um circuito utilizando um amplificador operacional, o engenheiro responsável utilizou um potenciômetro para compensar o efeito da tensão de offset (desequilíbrio) da entrada do amplificador operacional.

Esse ajuste tem por finalidade

Alternativas

compensar o efeito da resistência de saída não nula do amplificador operacional.

reduzir a sensibilidade do amplificador operacional à variação da temperatura.

aumentar a resistência de entrada do amplificador operacional.

amenizar a diminuição do ganho de tensão do amplificador operacional devido à sua largura de banda finita numa faixa de frequência de interesse.

minimizar o erro da tensão de saída devido ao desbalanceamento do estágio diferencial da entrada do amplificador operacional.

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Q2523586

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |

Q2523586 Engenharia Eletrônica

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.

Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.

Alternativas

o transistor está no modo ativo quando a junção emissor-base está polarizada diretamente e a junção coletor-base está polarizada inversamente.

no modo corte não há corrente que flui entre o emissor e o coletor, porém pode haver um valor considerável de corrente pela junção emissor-base.

no modo saturação a corrente que flui na junção emissor-coletor é aproximadamente proporcional à corrente que passa pela junção emissor-base.

para realizar a amplificação de sinais, os transistores são geralmente polarizados para operarem no modo de saturação.

quando a junção emissor-base está polarizada inversamente e a junção coletor-base está polarizada diretamente o transistor está no modo saturação.

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Q2523587

Engenharia Eletrônica Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica ,

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |

Q2523587 Engenharia Eletrônica

Sejam P, Q e R os números de 4 bits indicados no circuito da figura a seguir, em que se encontram um somador convencional de 4 bits, com entrada de um bit de transporte (Cin) e dois bancos de inversores INV1 e IVN2.

Imagem associada para resolução da questão

Imagem associada para resolução da questão

É correto afirmar que

Alternativas

R = P – Q.

R = Q – P – 1.

R = Q – P + 1.

R = P – Q – 1.

R = P – Q + 1.

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Respostas

1: C

2: B

3: E

4: A

5: B

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