Sobre dispositivos semicondutores de potência, numerar a 2ª...
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Ano: 2024
Banca:
OBJETIVA
Órgão:
FEAS de Curitiba - PR
Prova:
OBJETIVA - 2024 - FEAS de Curitiba - PR - Técnico em Eletrotécnica |
Q2559467
Eletrotécnica
Sobre dispositivos semicondutores de potência, numerar
a 2ª coluna de acordo com a 1ª e, após, assinalar a
alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
(1) Tiristores.
(2) Estrutura PNPN.
(3) Retificador Controlado de Silício (SCR).
(4) Circuitos de Aplicação.
( ) Composto por três camadas PNPN, que permite o controle unidirecional da corrente elétrica, utilizados para retificação controlada em circuitos de corrente alternada.
( ) Composto por quatro camadas, controlado por um sinal de disparo, aplicado em retificação controlada e controle preciso de corrente elétrica em fontes de alimentação e controles de motores.
( ) Composto de quatro camadas, consistindo em duas regiões tipo P e duas regiões tipo N, formando a base para dispositivos tiristores como o SCR.
( ) Utilização prática de dispositivos eletrônicos, como tiristores e seus derivados, em diversas áreas para atender às necessidades específicas de sistemas eletrônicos.
(1) Tiristores.
(2) Estrutura PNPN.
(3) Retificador Controlado de Silício (SCR).
(4) Circuitos de Aplicação.
( ) Composto por três camadas PNPN, que permite o controle unidirecional da corrente elétrica, utilizados para retificação controlada em circuitos de corrente alternada.
( ) Composto por quatro camadas, controlado por um sinal de disparo, aplicado em retificação controlada e controle preciso de corrente elétrica em fontes de alimentação e controles de motores.
( ) Composto de quatro camadas, consistindo em duas regiões tipo P e duas regiões tipo N, formando a base para dispositivos tiristores como o SCR.
( ) Utilização prática de dispositivos eletrônicos, como tiristores e seus derivados, em diversas áreas para atender às necessidades específicas de sistemas eletrônicos.
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