Assinale a alternativa INCORRETA.

Gabarito: B

O entendimento adequado da arquitetura de computadores e das memórias envolve conhecer a hierarquia de memória, que inclui tanto a memória RAM (Random Access Memory) quanto a memória cache e os dispositivos de armazenamento secundário.

A alternativa A está incorreta. As memórias Static Random-Access Memory (SRAM) são conhecidas por serem mais rápidas que as Dynamic Random-Access Memory (DRAM), devido ao seu design que não necessita de atualizações periódicas e possui tempos de acesso mais rápidos.

A alternativa C está correta. A memória cache Level 2 (L2) pode estar embutida no processador, fornecendo um acesso mais rápido, ou ser externa, oferecendo maior capacidade a um custo mais baixo.

A alternativa D também está correta. A quantidade de células de memória RAM que podem ser endereçadas é diretamente relacionada ao número de bits do barramento de endereços. Um barramento de endereços de 32 bits pode endereçar até \(2^{32}\) células de memória, por exemplo.

Quanto à alternativa B, ela é a correta e está errada no seu conteúdo. O disco magnético, sendo um dispositivo de armazenamento secundário, não transfere dados diretamente para a memória cache L2. O acesso aos dados em discos magnéticos é bem mais lento do que o acesso à memória cache. Normalmente, os dados são transferidos do disco para a memória principal (RAM) e então carregados para as memórias cache conforme a necessidade de processamento.

Alternativa A também está incorreta.

sRAMs (ou Static RAMs) tem tempos de acesso mais curtos devido à ausência de necessidade de refresh e ao uso de flip-flops para armazenamento.

dRAMs possuem tempos de acesso mais longos devido ao tempo necessário para o refresh das células de capacitor, além do acesso mais complexo à matriz de células.