Abaixo temos uma representação esquemática de uma junção PN...
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Ano: 2017
Banca:
IBFC
Órgão:
SEDUC-MT
Prova:
IBFC - 2017 - SEDUC-MT - Professor de Educação Básica - Física |
Q1110992
Física
Abaixo temos uma representação esquemática de uma
junção PN. Pelo processo de dopagem são inseridos
na região da junção (região de depleção ou região
de carga espacial) portadores do tipo N (elétrons) e
portadores do tipo P (buracos). Essa distribuição de
carga é, então responsável pelo surgimento de uma
barreira de potencial eletrostático aos portadores que
forem cruzar a junção. Através de um campo externo
essa barreira pode ser reduzida permitindo o trânsito
de portadores (polarização direta) e portanto o diodo
permite a passagem de portadores em apenas uma
direção. 
Considerando uma região de depleção na forma de
um cubo, e que a densidade de carga em cada lado da
junção é uniforme em módulo Q/L3
. Utilizando a Lei de
Gauss dE/dx = Q/(ε L3) e a definição de tensão dV/dx
= -E, a diferença total de tensão entre os extremos de
cada lado da junção será:
Considerando uma região de depleção na forma de
um cubo, e que a densidade de carga em cada lado da
junção é uniforme em módulo Q/L3
. Utilizando a Lei de
Gauss dE/dx = Q/(ε L3) e a definição de tensão dV/dx
= -E, a diferença total de tensão entre os extremos de
cada lado da junção será:
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