Muito além da diferença de encapsulamento, os diodos de pot...

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Ano: 2024 Banca: IV - UFG Órgão: IFN-MG Prova: IV - UFG - 2024 - IFN-MG - Professor EBTT - Engenharia Elétrica |

Q2562425 Engenharia Eletrônica

Muito além da diferença de encapsulamento, os diodos de potência e retificação, quando comparados aos diodos comuns, apresentam

maior corrente de saturação (I_S), maior tensão de condução direta e maior tensão de ruptura reversa.

maior corrente de saturação (I_S), maior tensão de condução direta e menor tensão de ruptura reversa.

menor corrente de saturação (I_S), menor tensão de condução direta e maior tensão de ruptura reversa.

menor corrente de saturação (I_S), menor tensão de condução direta e menor tensão de ruptura reversa.

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