O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densid...
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Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Comentários
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O efeito Kirk de fato é o descrito na questão e isso prejudica o ganho de corrente do BJT mas o erro está que ele diminui a largura efetiva da base, na verdade é o contrário. Há grande concentração de doadores na base para o coletor devido a quantidade de corrente.
Fontes:
ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_5.htm
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