Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, pode-se afirmar que a dopagem do emissor, da base e do coletor é, respectivamente: Alternativa A: média, forte e fraca. Ou Alternativa B: forte, fraca e média. Ou Alternativa C: média, fraca e forte. Ou Alternativa D: fraca,forte e média. Ou Alternativa E: forte, média e fraca.

Alternativa [B] forte, fraca e média.

Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, p...

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Q2719405

Ano: 2014 Banca: FUNCAB Órgão: SSP-SE Prova: FUNCAB - 2014 - SSP-SE - Perito Criminalístico Engenharia Elétrica ou Engenharia Eletrônica ou Engenharia de Redes de Comunicação ou Engenharia de Telecomunicações |

Q2719405 Engenharia Elétrica

Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, pode-se afirmar que a dopagem do emissor, da base e do coletor é, respectivamente:

média, forte e fraca.

forte, fraca e média.

média, fraca e forte.

fraca,forte e média.

forte, média e fraca.

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