No contexto da comutação de semicondutores em conversores de eletrônica de potência,
os transistores de potência, como o IGBT e o MOSFET, estão sujeitos a perdas de
comutação durante os processos de chaveamento.
Considerando-se o comportamento desses dispositivos, qual opção descreve corretamente
os efeitos das perdas de comutação?