No contexto de organização e arquitetura de computadores, e...

Gabarito: C - Memória flash.

Para resolver essa questão, é essencial compreender as características das diferentes formas de memórias de semicondutores utilizadas em computadores. As memórias citadas na questão apresentam diferentes métodos de operação no que se refere ao armazenamento, acesso e apagamento de dados:

• RAM (Random Access Memory): volátil e permite apagamento e escrita em nível de byte.
• ROM (Read Only Memory): não volátil e não permite escrita ou apagamento após a fabricação ou após ser programada.
• PROM (Programmable Read-Only Memory): permite uma única escrita após a fabricação.
• EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): permite reprogramação após apagamento com luz ultravioleta.

A memória flash se destaca das demais mencionadas devido à sua capacidade de apagar e reescrever dados em blocos ou seções, e não em nível de byte, o que lhe confere vantagens em termos de velocidade e eficiência para operações de apagamento e reescrita. Além disso, ao contrário da EPROM, não requer uma fonte de luz externa para o apagamento. É uma forma não volátil de memória de semicondutor amplamente utilizada em dispositivos como pen drives, cartões de memória, SSDs e para armazenamento em massa em dispositivos móveis.

Por que a alternativa C está correta? A descrição da questão se alinha perfeitamente com a operação típica da memória flash, que é organizada de forma a permitir o apagamento de dados em blocos ou seções, e não individualmente em nível de byte. Esse é um diferencial importante em comparação com outras formas de memória de semicondutor. Portanto, a alternativa C é a correta.

Tecnologia | Forma de apagamento 

ROM         | Não é possível

PROM       | Não é possível

EPROM     | Luz Ultravioleta a nível de chip

EEPROM   | Eletricamente a nível de byte 

Flash         | Eletricamente a nível de bloco

RAM          | Eletricamente a nível de byte  

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