Os transistores bipolares de junção (TBJ) revolucionaram a i...

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Ano: 2023 Banca: CESGRANRIO Órgão: Transpetro Prova: CESGRANRIO - 2023 - Transpetro - Eletricista |

Q2323356 Engenharia Naval

Os transistores bipolares de junção (TBJ) revolucionaram a indústria de equipamentos eletrônicos, permitindo a substituição das válvulas e, consequentemente, reduzindo o consumo e as dimensões dos equipamentos eletrônicos.
Considerando-se um TBJ do tipo npn, com polarização direta do diodo emissor e polarização reversa no diodo coletor, a corrente de coletor pode apresentar praticamente a mesma magnitude da corrente de emissor devido

à criação de lacunas no coletor, permitindo um fluxo de elétrons quase idêntico nas junções NP e PN.

à superação da barreira de potencial da junção emissor-base e ao campo elétrico formado pela camada de depleção na junção base-coletor, permitindo a geração de um fluxo contínuo de elétrons .

ao fato de o coletor ser a região do TBJ com menor índice de dopagem, favorecendo a passagem da maior parte dos elétrons que vem do emissor.

ao fato de a base ser uma região fortemente dopada, o que aumenta a injeção de elétrons na região do coletor.

ao baixo índice de dopagem do emissor, permitindo um fluxo de elétrons contínuo na direção do coletor.

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