Questões de Concurso

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Q394955
Engenharia Eletrônica Sistemas Embarcados , Arquitetura na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2014 Banca: VUNESP Órgão: SAAE de São Carlos - SP Prova: VUNESP - 2014 - SAAE-SP - Técnico em Eletrônica |
Q394955 Engenharia Eletrônica
Nas alternativas a seguir, estão listados alguns dispositivos de armazenamento. Assinale aquela que apresenta o dispositivo com menor tempo de acesso típico.
Alternativas
Q381120
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 4ª REGIÃO Prova: FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381120 Engenharia Eletrônica
Para responder às questões , considere o circuito abaixo, onde o diodo D1 encontra-se aberto por estar danificado.

imagem-038.jpg

Conforme a condição descrita, o formato do sinal de saída é, aproximadamente,

Alternativas
Q381119
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 4ª REGIÃO Prova: FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381119 Engenharia Eletrônica
Para responder às questões , considere o circuito abaixo, onde o diodo D1 encontra-se aberto por estar danificado.

imagem-038.jpg

O valor aproximado da corrente de pico no pino 1 do 4N25 é
Alternativas
Q381116
Engenharia Eletrônica Redes Industriais ,
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 4ª REGIÃO Prova: FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381116 Engenharia Eletrônica
Classifique a rede de comunicação abaixo, quanto ao ALCANCE GEOGRÁFICO, à TOPOLOGIA e à HIERARQUIA.

imagem-037.jpg

Alternativas
Q381113
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 4ª REGIÃO Prova: FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381113 Engenharia Eletrônica
O esquema elétrico abaixo mostra o circuito de um dispositivo simples de alarme.

imagem-035.jpg

Sobre o funcionamento ou elementos desse circuito é correto afirmar:
Alternativas
Q380523
Engenharia Eletrônica Filtros , Amp Op ,
Ano: 2014 Banca: FUNRIO Órgão: INSS Prova: FUNRIO - 2014 - INSS - Analista - Engenharia de Telecomunicações |
Q380523 Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo é mostrado um circuito contendo quatro transistores MOS (Q1 - Q4) e um amplificador operacional. Sabe- se que VA é a tensão de saída do circuito e d1, d2, d3 e d4 são os sinais de entrada.

imagem-002.jpg
Esse circuito, que tem uma importante função em alguns sistemas de comunicações, é conhecido como:
Alternativas
Q364667
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667 Engenharia Eletrônica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.

imagem-005.jpg

Alternativas
Q364658
Engenharia Eletrônica Filtros , Amp Op ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364658 Engenharia Eletrônica
imagem-004.jpg

A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Se todos os resistores tiverem o mesmo valor e se a entrada V1 for aterrada, então tem-se um seguidor de tensão.
Alternativas
Q364656
Engenharia Eletrônica Filtros , Amp Op ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364656 Engenharia Eletrônica
imagem-004.jpg

A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Nesse circuito, a impedância de entrada na porta não-inversora pode ser determinada, aproximadamente, pela soma R3 + R4.
Alternativas
Q364654
Engenharia Eletrônica Filtros , Filtros Ativos , Amp Op ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364654 Engenharia Eletrônica
imagem-004.jpg

A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

A principal vantagem de uma configuração diferencial de amplificação é que, tendo duas portas de entrada, um mesmo sinal pode ter sua amplificação duplicada.
Alternativas
Q364651
Engenharia Eletrônica Filtros , Amp Op ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364651 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

Considere que um amplificador tenha slew-rate máximo S. Nesse caso, ele introduzirá não-linearidades se, na saída, for solicitado como sinal uma senóide de amplitude superior a S em baixas frequências.
Alternativas
Q364649
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Q364647
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Alternativas
Q364645
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Alternativas
Q364644
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Alternativas
Q364643
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Alternativas
Q364641
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Alternativas
Q364639
Engenharia Eletrônica Sistemas de Controle , Diagrama de Bode ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364639 Engenharia Eletrônica
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A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

A função de transferência, H(s), desse circuito é expressa por H(s)= imagem-003.jpg

Alternativas
Q364638
Engenharia Eletrônica Sistemas de Controle , Diagrama de Bode ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364638 Engenharia Eletrônica
imagem-001.jpg

A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

A largura de banda desse circuito é igual a 2f0.
Alternativas
Respostas
1561: B
1562: C
1563: E
1564: C
1565: D
1566: C
1567: C
1568: C
1569: C
1570: E
1571: E
1572: C
1573: E
1574: E
1575: E
1576: E
1577: E
1578: E
1579: E
1580: E
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