Questões de Concurso

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Q2379707 Eletrônica

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 


Considere um sistema digital, composto por flip-flops e portas lógicas, que opere de acordo com a equação de estado Qn+1 = D ⊕ Qn, em que D é a entrada e Qn é o estado atual. Nesse caso, o próximo estado Qn+1 será o resultado da operação OU entre a entrada D e o estado atual Qn

Alternativas
Q2379706 Eletrônica

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 


Um circuito combinacional caracteriza-se por dependência do valor atual: nele, o valor da saída no instante t depende exclusivamente da combinação dos valores das entradas nesse instante, e os estados anteriores não têm relevância. Já o circuito sequencial caracteriza-se pela influência de entradas anteriores: nele, o valor da saída no instante t não depende apenas dos valores das entradas nesse instante, mas também da sequência das entradas anteriores. 

Alternativas
Q2379703 Eletrônica

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 


Em comparação com outras tecnologias de circuitos integrados digitais, uma das vantagens dos dispositivos lógicos programáveis é gerar um ciclo de projeto com menor tempo de execução e custos reduzidos. 

Alternativas
Q2379701 Eletrônica

Julgue o item seguinte, relacionados à álgebra booleana.


Considere que, para ser patenteada, uma invenção deve satisfazer as seguintes características representadas pelas varáveis booleanas A, B e C: se a invenção é uma novidade, A é verdadeiro; se a invenção apresenta atividade inventiva, B é verdadeiro; se a invenção possui aplicação industrial, C é verdadeiro. Nessa situação, a expressão booleana F que representa a condição em que uma patente será aprovada, com base nessas características, é F = AB + AC + BC. 

Alternativas
Q2379700 Eletrônica

Julgue o item seguinte, relacionados à álgebra booleana.


Se L1 e L2 forem variáveis booleanas que representem duas lâmpadas em uma sala, então a situação em que a sala estará iluminada apenas quando ambas as lâmpadas estiverem acesas será representada pela expressão booleana F = L1 L2. 

Alternativas
Q2364422 Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.



A tecnologia de interconexões wire-bonding é apropriada para uso em alta densidade de conexões, com mais de 200 I/Os por chip


Alternativas
Q2364415 Eletrônica
Julgue o item que se segue, em relação a projeto de sistemas e circuitos integrados com dispositivos de baixo consumo e alta eficiência energética e a aplicações em sistemas puramente digitais ou com sinais mistos.

Para otimizar a eficiência dos circuitos analógicos e de modo misto, uma prática comum é utilizar trilhas estreitas de polissilício para rotas de sinais que carregam corrente, visando reduzir a capacitância parasita, mesmo que isso possa resultar em um aumento da resistência do circuito; essa abordagem é frequentemente empregada na indústria para melhorar o desempenho geral do circuito. 
Alternativas
Q2364400 Eletrônica
Julgue o próximo item, relativos às técnicas de corrosão úmida e a seco nos processos de fabricação de circuitos microeletrônicos. 


A técnica de corrosão úmida possui uma vantagem com relação à corrosão a seco, pois é um processo isotrópico, que atua uniformemente em todas as direções.
Alternativas
Q2364397 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.


As técnicas de deposição para filmes finos podem ser classificadas em deposição física de vapor (PVD) e deposição química de vapor (CVD).

Alternativas
Q2364396 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.



A pulverização catódica (sputtering) é um processo de deposição química de vapor (CVD) através de evaporação térmica. 

Alternativas
Q2364395 Eletrônica

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.


A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta uma desvantagem com relação à precisão de espessura do material, difícil de replicar.

Alternativas
Q2364394 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Alternativas
Q2364393 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.


Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes. 

Alternativas
Q2364392 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Alternativas
Q2364391 Eletrônica

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.



A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Alternativas
Q2364389 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.


Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Alternativas
Q2364387 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Alternativas
Q2364386 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Alternativas
Q2364385 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Alternativas
Q2364384 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.



Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Alternativas
Respostas
161: E
162: C
163: C
164: E
165: C
166: E
167: E
168: E
169: C
170: E
171: E
172: E
173: C
174: E
175: C
176: E
177: E
178: C
179: C
180: E