Questões de Concurso
Para professor - eletrônica
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Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
No comentário “— Ó, Carol, teu namorado é mudo?”
(linha 20), o vocábulo “teu” foi equivocadamente
empregado, já que, em todas as regiões do Brasil, o
termo seu é a forma padronizada da norma urbana culta.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
Na linha 15, o elemento “‐los” retoma o antecedente “Os
pronomes”.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
Nas linhas de 12 a 14, Carolina pede que Carlinhos não
empregue certos vocábulos da língua portuguesa
porque esses são considerados como arcaicos pela
gramática normativa da língua.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
Na linha 13, para que a oração “Não fala ‘soberba’”
esteja em conformidade com a gramática normativa da
língua portuguesa, é necessária a flexão da forma verbal
“fala” no modo imperativo negativo, a depender da
pessoa verbal: Não fales “soberba” ou Não fale
“soberba”.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
O termo ‘soberba’ (linha 13) tem o sentido de
presunção, cujo antônimo é pretensão.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
No trecho “— Você fala certo demais. Fica meio
esquisito.” (linha 8), a inserção de ponto e vírgula no
lugar de ponto continuativo entre as duas orações, com
a devida conversão de letra maiúscula em minúscula,
manteria a correção gramatical e a coesão textual.
Com relação às ideias e aos aspectos linguísticos do texto, julgue o item.
A frase “— Me faz um favor?” (linha 2) contraria a norma
gramatical brasileira, a qual exige a colocação do
pronome depois da forma verbal em início de orações ou
períodos.
Na última linha do texto, o autor faz uma comparação da voz de Carolina com a cobertura de caramelo, termo usado em sentido figurado, insinuando que a voz dela era doce.
Deduz‐se do texto que a personagem Carolina tinha vergonha do namorado porque ele era arrogante e gostava de se exibir com a forma correta de falar o português.
De acordo com o Projeto Político-Pedagógico ̶PPP do IFRN, uma proposta educativa que vise articular educação profissional e tecnológica, educação básica e educação de jovens e adultos na perspectiva do currículo integrado deve fundamentar-se, teórico-metodologicamente, nos princípios da politecnia, da formação omnilateral, da interdisciplinaridade e da contextualização.
Uma ação educativa pautada por princípios dessa natureza pressupõe um perfil esperado de discentes que abarque, dentre outros, o seguinte aspecto:
A organização curricular dos cursos técnicos de nível médio no IFRN tanto se ancora em bases filosóficas, epistemológicas, metodológicas, socioculturais e legais como se orienta em concepções de sociedade, trabalho, cultura, educação, ciência e tecnologia e ser humano. Essa orientação expressa-se nos fundamentos e nos princípios do currículo integrado assumido pelo Projeto Político-Pedagógico Institucional.
Guiando-se por esse referencial, uma organização curricular situada sob tais bases deve reger-se, dentre outros, pelos seguintes princípios:
Com a publicação da Lei n. 11.892/2008, a Rede Federal de Educação Profissional, Científica e Tecnológica adquiriu uma nova institucionalidade, passando a articular educação básica, superior e profissional, de forma pluricurricular e multicampi. Como Instituição integrante dessa Rede, o Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte-IFRN vem ampliando as suas ofertas pelos diversos campi, contemplando modalidades e ofertas distintas.
Considerando essa abrangência e as normatizações estabelecidas no Projeto Político-Pedagógico da Instituição, todas as ofertas do IFRN devem organizar-se por meio de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.
Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital
correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da
constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3 = 1,1, a
sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3 .
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor εs = 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 . Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator
Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de
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