Questões de Concurso Para tecnologista júnior

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Q364664 Engenharia Elétrica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Um regulador de tensão linear é basicamente um divisor de tensão por carga ativa. A carga ativa tem o papel de absorver variações da tensão da fonte, de modo que à carga na saída do regulador seja entregue uma tensão constante.
Alternativas
Q364663 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

São blocos básicos comuns em um controlador PWM de frequência fixa: um relógio de frequência ajustável, um amplificador do erro de tensão na saída, um gerador de forma de onda dente-de-serra e um comparador.
Alternativas
Q364662 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

Na técnica de controle por PWM com histerese, o controlador tem dificuldade em acompanhar rápidas oscilações de carga.
Alternativas
Q364661 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

A técnica de controle por PWM com histerese faz que o sinal de chaveamento tenha uma frequência fixa bem estabelecida, reduzindo o ruído sobre a linha.
Alternativas
Q364660 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

Na técnica de controle por PWM com histerese, existem níveis diferentes de comparação de tensão na saída para abrir e fechar a chave entre fonte e carga.
Alternativas
Q364659 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

No controle de potência por PWM, a largura dos pulsos de chaveamento é modulada com o objetivo principal de reduzir o efeito de transitórios eletromagnéticos sobre a carga.
Alternativas
Q364658 Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Se todos os resistores tiverem o mesmo valor e se a entrada V1 for aterrada, então tem-se um seguidor de tensão.
Alternativas
Q364657 Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Para boa rejeição de modo comum, deve-se assumir, nesse circuito, que os valores de R2 e R1 sejam tão próximos quanto possível.
Alternativas
Q364656 Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Nesse circuito, a impedância de entrada na porta não-inversora pode ser determinada, aproximadamente, pela soma R3 + R4.
Alternativas
Q364655 Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

Em baixas frequências, a saída desse circuito pode ser escrita como V0 = A (V2 - V1), em que A é uma constante que depende apenas dos resistores, se uma escolha conveniente de resistores for feita.
Alternativas
Q364654 Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um amplificador diferencial simples, construído a partir de amplificadores operacionais. Com relação às características desse circuito, julgue os itens a seguir.

A principal vantagem de uma configuração diferencial de amplificação é que, tendo duas portas de entrada, um mesmo sinal pode ter sua amplificação duplicada.
Alternativas
Q364653 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

Na aplicação do amplificador operacional como integrador, a tensão de off-set, mesmo quando de reduzido valor, faz que a saída aumente continuamente com entrada aterrada.
Alternativas
Q364652 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

Na chamada compensação por polo dominante, introduz-se um polo de baixa frequência, garantindo que o ganho caia abaixo de 0 dB antes que a defasagem entre entrada e saída atinja 180 graus. Assim, sacrifica-se ganho em malha aberta nas médias frequências em favor de estabilidade em malha fechada.
Alternativas
Q364651 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

Considere que um amplificador tenha slew-rate máximo S. Nesse caso, ele introduzirá não-linearidades se, na saída, for solicitado como sinal uma senóide de amplitude superior a S em baixas frequências.
Alternativas
Q364650 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

A tensão de off-set (ou desvio), causada por pequenas assimetrias nos circuitos das duas portas diferenciais, faz que a saída do amplificador seja diferente de zero mesmo com entradas diferenciais aterradas.
Alternativas
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Q364647 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Alternativas
Q364646 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
Alternativas
Q364645 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Alternativas
Respostas
841: C
842: C
843: E
844: E
845: C
846: E
847: C
848: E
849: C
850: C
851: E
852: C
853: C
854: E
855: C
856: C
857: E
858: E
859: C
860: E