Questões de Concurso
Para engenharia eletrônica
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Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
No processo de design de um amplificador operacional CMOS, a seleção do tamanho dos dispositivos MOSFET e das correntes de polarização tem influência direta em parâmetros tais como ganho, CMRR, dissipação de potência, ruído e taxa de variação (slew rate). Esse processo é iterativo e requer ajustes baseados em simulações, em que aumentar o tamanho dos MOSFETs (aumentando W) com uma menor VGS (tensão entre porta e fonte) pode melhorar o emparelhamento, aumentar o ganho e reduzir o ruído, porém, podendo resultar em uma área de layout maior e potencialmente em menor velocidade de operação.
No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre
lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os
transistores NMOS usados em circuitos digitais têm
aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores
PMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a
mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das
lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto
desempenho e baixo consumo, é empregada,
predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas
transistores NMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por Ve e a saída, pela tensão Vs.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.
I. Os sistemas de máquinas de visão utilizam câmeras inteligentes ou digitais com software de processamento de imagens baseados em computadores para realizar inspeções em peças que estão em fase de fabricação e avaliar sua qualidade, sendo também programados para realizar tarefas simples, como contar objetos em uma esteira, ler números seriais e medir peças.
PORQUE
II. Embora alguns algoritmos de máquinas de visão tenham sido desenvolvidos para imitar a percepção da visão humana, nenhuma máquina de sistema de visão tem a capacidade da visão humana em termos de compreensão de imagens, tolerância às variações de iluminação e variabilidade de partes.
A respeito dessas asserções, assinale a alternativa correta.
Considere os seguintes ajustes para o canal 1:
• V/div = 4 V
• sec/div = 10 µs
Qual é a amplitude do pulso e a frequência do sinal, respectivamente?
Considere que v1 = 2,002 V, v2 = 2,011 e R = 12 kΩ. Se RG for ajustado para 320 Ω, qual será o valor da tensão de saída (v0)?
I. O método das malhas é apropriado para proteger superfícies laterais planas contra descargas atmosféricas laterais.
II. Se o declive do telhado exceder 1/10, condutores paralelos, em vez de em malha, podem ser usados, adotando a distância entre os condutores não maior que a largura de malha exigida.
III. O conjunto de condutores do subsistema de captação deve ser construído de tal modo que a corrente elétrica da descarga atmosférica sempre encontre pelo menos duas rotas condutoras distintas para o subsistema de aterramento.
IV. O método das malhas é apropriado para telhados horizontais e inclinados sem curvatura.
Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da base, enquanto polarizar o emissor produz uma corrente fixa no emissor (1ª parte). A polarização da base é mais aplicada em circuitos amplificadores, enquanto a polarização do emissor é predominante em circuitos de chaveamento (2ª parte). Quando um transistor está saturado, um aumento na corrente da base produz uma corrente menor no coletor (3ª parte).
Quais partes estão corretas?
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