Questões Militares Sobre eletrônica
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Analise o circuito a seguir.
Sabendo que o circuito acima tem todos os seus componentes ideais, calcule o sinal de saída (Vo) e assinale a opção correta.
Dado:
Sinal de entrada: Vi = e-2t COS (60t)
Analise a figura a seguir.
O Mapa de Karnaugh pode ser resolvido por dois
métodos: soma de produtos (SdP) e produto das somas
(PdS). Determine a expressão para Y, pelo método do
produto das somas, do mapa de Karnaugh acima e
assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é a função de transferência Vo(s)/VI(s) do
circuito acima e assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
No circuito acima, qual é: a potência máxima possível de ser transferida para a carga ZL?
Dados:
• arctan (-3/4) = - 36.87;
• arctan (-1.68/5.76) = -16.26º
• e tensão de pico na entrada: Vpico = 20V.
Assinale a opção que apresenta o valor de K tal que o sistema, em malha fechada, seja marginalmente estável, e sua frequência ω de oscilação.
Analise a figura a seguir.
Com relação ao circuito acima, assinale a opção que apresenta os valores da resistência de RL para a máxima transferência de potência e para uma eficiência de 75%, respectivamente.
Dados:
• R1 = 15Ω
• R2 = 8Ω
• R3 = 7Ω
• I = 15A
• E1 = 10V
Dada a equação diferencial com as condições de contorno y(0) = ý (0) = u (0) = 0, a função de transferência G (S) = Y (s) / U (s) é igual a :
I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é a tensão da fonte e a impendância da
linha no circuito Thévenin equivalente do circuito da figura acima e assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é o ganho do circuito com amplificadores
operacionais acima e assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
O núcleo ferromagnético representado na figura acima é formado por um único material e possui as seguintes características:
- Comprimento médio do material L metros;
- Permeabilidade µ = 10µo;
- µo permeabilidade do vácuo;
- Área da seção transversal 1/20 = Lm2,
- Corrente i.igual a 1A; e
- Fluxo magnético ø = 500µ0Wb.
Com base nessas informações, determine quantas espiras
envolvem o núcleo ferromagnético.
Assinale a opção que apresenta a resposta do sistema em malha fechada representado na figura acima a uma entrada do tipo degrau:
Dado: √15 = 3.87.
Analise as figuras a seguir.
O Cl 74HC164 é um registrador de deslocamento de 8 bits composto por flip-flops D, acionado por até duas entradas (DSA e DSB), gatilhado pela borda positiva do clock e cujo diagrama lógico está representado na figura acima. Considere a forma de onda dos sinais , CP (clock), DAS, DSB e identifique o tipo de registrador e o valor retido em Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7 após 7 ciclos de clock e assinale a opção correta.
Dado: Suponha condições iniciais nulas.