Questões Militares de Engenharia Eletrônica - Arquitetura na Engenharia Eletrônica

Foram encontradas 31 questões

Q1989132 Engenharia Eletrônica

O primário do transformador do circuito, cujo diagrama esquemático abaixo, está ligado a um barramento CA com tensão eficaz de 220 V e frequência de 60 Hz. A relação de espiras do transformador e o ângulo de disparo dos SCRs foram ajustados de tal maneira que, para todos os componentes funcionando corretamente, o valor eficaz da tensão de saída (VO) seja igual a 100 V. Entretanto, o SCR1 desse circuito apresentou um defeito, passando a se comportar permanentemente como um circuito aberto.

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Na situação de defeito apresentada, qual é o valor eficaz da tensão de saída?

Alternativas
Q1989130 Engenharia Eletrônica

Uma determinada memória RAM trabalha com uma palavra de dados de 8 bits e tem um sistema de endereçamento multiplexado em duas etapas, controlado por dois sinais, RAS e CAS. Inicialmente, o barramento de endereço dessa memória recebe 5 bits de endereço de linha e o sinal RAS é pulsado. Depois, o barramento de endereço recebe 6 bits de endereço de coluna e o sinal CAS é pulsado.

Qual é a capacidade dessa memória em bytes?

Alternativas
Q1989111 Engenharia Eletrônica

O amplificador diferencial é um circuito muito utilizado na construção de circuitos integrados. No circuito abaixo, considere os transistores T1 e T2 com características idênticas com uma queda VBE = 0,7V e também que as correntes de coletor são iguais às correntes de emissor. 

Imagem associada para resolução da questão

O valor da tensão em VC (coletor de T2), em relação ao terra, será igual a 

Alternativas
Q1989108 Engenharia Eletrônica

Um determinado circuito possui as seguintes expressões para a tensão e corrente em sua entrada:

v = 120V sen (ωt +80º) e i = 4A sen (ωt +20º)

Com base nestes valores, o valor da potência média fornecida será igual a 

Alternativas
Q895236 Engenharia Eletrônica

Associe as duas colunas relacionando partes de um computador eletrônico às suas respectivas características.


PARTES DE UM COMPUTADOR ELETRÔNICO


(1) CPU

(2) Memória

(3) Barramento

(4) Entrada e saída


CARACTERÍSTICAS


( ) Dispositivo de armazenamento de dados binários.

( ) Caminho pelo qual o computador recebe informações e fornece informações para o seu ambiente externo.

( ) Conjunto de linhas de comunicação que interliga diversos componentes de um computador.

( ) Onde ocorre a execução das instruções.


A sequência correta dessa associação é:

Alternativas
Q735337 Engenharia Eletrônica

Correlacione as memórias às suas definições e assinale a opção que apresenta a sequência correta.


MEMÓRIAS 


I - EPROM 

II - RAM 

III- ROM 

IV - PROM 


DEFINIÇÕES


( ) Memória programável e apagável.

( ) Memória programável e não apagável

( ) Memória que permite a escrita e a leitura dos dados, e possui acesso aleatório.

( ) Memória que permite somente a leitura dos dados.

( ) Memória programável que possui acesso aleatório.


Alternativas
Q722383 Engenharia Eletrônica

Em relação a memórias, analise as afirmativas abaixo.

I - Em uma memória RAM (RANDOM ACCESS MEMORY), se a alimentação for desligada e novamente ligada após algum tempo, os estados dos flip-flops, após a religação, geralmente não guardam relação útil com os estados anteriores. Por esta razão, uma RAM semicondutora é descrita como memória permanente.

II - Uma memória ROM (READ ONLY MEMORY) programável é aquela em que o fabricante inclui uma ligação em cada interseção da grade de linhas de endereço e de dados. Esta conexão pode ser feita por diodos ou através de transistores .

III- Para carregar uma memória, palavras de entrada são aplicadas às linhas de entrada em sincronismo com o relógio. Uma palavra de entrada aparecerá nos pinos de saída após "K" ciclos de relógio. Em geral, exceto pelo atraso que ocorre enquanto a palavra é deslocada através dos registradores, as palavras de entrada aparecem na saída na mesma sequência em que foram lidas. Uma memória desse tipo é chamada FIFO (FIRST IN FIRST OUT).

Assinale a opção correta.

Alternativas
Q708947 Engenharia Eletrônica

A figura representa a estrutura de uma memória. Com relação à capacidade de dados, que podem ser armazenados por ela, pode-se afirmar que é de

Imagem associada para resolução da questão

Alternativas
Q708942 Engenharia Eletrônica

Considerando as características de funcionamento de memórias, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

( ) DRAM é um tipo de memória RAM.

( ) EPROM não permite que os dados sejam apagados e regravados.

( ) PROM é um tipo de memória ROM.

( ) PROM permite gravações sucessivas.

Alternativas
Q708937 Engenharia Eletrônica

A figura representa a estrutura básica de um computador. Observe.

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Considerando as principais funções de uma CPU (central processing unit), assinale alternativa incorreta.

Alternativas
Q708936 Engenharia Eletrônica
Considerando arquitetura de instruções em Pipeline, é incorreto afirmar que
Alternativas
Q695313 Engenharia Eletrônica
DRAMs são tipos de memórias dinâmicas que utilizam como meio de armazenamento de bits um pequeno capacitor, ao invés de LATCHS; a grande vantagem é o aumento da capacidade de armazenamento. Entretanto, como o capacitor não suporta o armazenamento por um grande espaço de tempo, é necessário um processo de refresh. Sobre uma memória DRAM de 2048x2048 16ms de refresh é incorreto afirmar que
Alternativas
Q688593 Engenharia Eletrônica

Sobre os dispositivos de memória, analise as afirmativas a seguir.

I. Tanto as memórias RAM quanto ROM são do tipo volátil.

II. Uma memória que é especificada como 16 × 8 significa que essa memória possui 16 endereços, onde cada endereço armazena uma palavra de 8 bits.

III. Considerando que o tamanho do dado armazenado em cada posição de uma memória seja igual a 16 bits, então para que essa memória possa armazenar um total 2048 bytes de dados é necessário um barramento de endereço que tenha 11 bits.

Está correto apenas o que se afirma em

Alternativas
Q688590 Engenharia Eletrônica

Acerca da arquitetura superescalar, avalie os itens a seguir.

I. As instruções são executadas uma por vez.

II. Para implementação utiliza-se as técnicas de pipeline.

III. Técnicas de arquitetura superescalar podem ser aplicadas tanto a uma arquitetura RISC (Reduced Instruction Set Computer), como a uma arquitetura CISC (Complex Instruction Set Computer).

Está correto apenas o que se afirma em

Alternativas
Q688589 Engenharia Eletrônica

Analise as seguintes afirmações sobre barramentos de entrada e saída (E/S) de um computador.

I. Existem três técnicas de E/S: E/S programada, E/S por interrupção e Acesso direto à memória.

II. Uma das funções do barramento de E/S é fornecer uma interface com o processador e a memória.

III. O barramento de E/S possibilita a interface com um ou mais dispositivos periféricos, através de conexões de dados adequadas.

Está correto apenas o que se afirma em

Alternativas
Q688588 Engenharia Eletrônica

Acerca da arquitetura de computadores Von Neumann, classifique as afirmativas abaixo em verdadeiro (V) ou falso (F). A seguir, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

( ) O conteúdo de uma memória de leitura e escrita é endereçado pela sua posição, independentemente do tipo de dados nela contido.

( ) A execução de instruções ocorre de modo sequencial (exceto quando essa sequência é explicitamente alterada de uma instrução para a seguinte).

( ) Os dados e as instruções são armazenados em memórias separadas, assim aumentando a velocidade de processamentos, pois pode-se buscar ao mesmo tempo a instrução que será executada e um dado que será processado.

Alternativas
Q661166 Engenharia Eletrônica

DADOS:

Valores de tangente:

tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).

Valores de seno:

sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).

Valores de cosseno:

cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).

Transformada de Laplace:

L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).

Resistividade aproximada dos condutores de cobre:

seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,

seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.

Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.

Representação do complemento do valor A: Ā

Sobre a organização e funcionamento básico de um microprocessador, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

( ) A ULA (Unidade Lógica e Aritmética e Lógica) é responsável por armazenar o ponteiro da instrução correntemente em execução.

( ) Os registradores da UCP (Unidade Central de Processamento) são uma área de memória que armazenam os dados relacionados aos programas em execução.

( ) O Program Counter (PC ou contador de instruções) mantém um registro de quantas instruções são executadas a cada ciclo de máquina.

( ) A pilha é uma região de memória que armazena as instruções que estão na fila de execução.

Alternativas
Q661161 Engenharia Eletrônica

DADOS:

Valores de tangente:

tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).

Valores de seno:

sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).

Valores de cosseno:

cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).

Transformada de Laplace:

L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).

Resistividade aproximada dos condutores de cobre:

seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,

seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.

Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.

Representação do complemento do valor A: Ā

A coluna a esquerda contém alguns tipos de memórias semicondutoras. A coluna a direita contém algumas características destas memórias. Relacione a coluna a direita com a da esquerda e depois assinale a sequência correta de alternativas abaixo.

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

E. RAM Estática

F. RAM Dinâmica


( ) volátil, conteúdo mantido se alimentação presente

( ) não volátil, apagada e programada eletricamente.

( ) não volátil, programada durante fabricação.

( ) não volátil, programada uma única vez pelo usuário.

( ) volátil, conteúdo precisa ser refrescado periodicamente.

Alternativas
Q660872 Engenharia Eletrônica

A técnica chamada Memória de laço de repetição utiliza uma pequena memória de alta velocidade, mantida pelo estágio de busca de instrução da pipeline, que é usada para manter as n instruções buscadas mais recentemente, em sequência. Caso o desvio seja tomado, o hardware verifica primeiramente se a instrução-alvo do desvio está armazenada nessa área de memória. Em caso afirmativo, a próxima instrução é buscada nessa área.

Analise as afirmações abaixo sobre as vantagens dessa técnica, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

( ) Com o uso de busca antecipada, a memória de laço de repetição conterá certo número de instruções que estão à frente da instrução corrente na sequência de instruções do programa. Portanto, as instruções seguintes estarão disponíveis sem requerer o tempo usual de acesso à memória.

( ) Se ocorrer um desvio para um endereço-alvo localizado apenas algumas posições adiante do endereço da instrução de desvio, esse alvo já estará na memória de laço de repetição. Isso é útil por ser comum a ocorrência de sequências de comandos IF-THEN e IF-THEN-ELSE.

( ) Essa estratégia é particularmente adequada para lidar com laços de repetição ou iterações, daí, o nome memória de laço de repetição. Se essa memória for suficientemente grande para conter todas as instruções de um laço de repetição, essas instruções terão de ser buscadas da memória apenas uma vez, para a primeira iteração. Nas iterações subsequentes, todas as instruções necessárias já estarão nessa área de memória.

Alternativas
Q660870 Engenharia Eletrônica

Correlacione as colunas abaixo com base nos conceitos e nas características de organização de sistemas microprocessados. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.

1. CPU.

2. Memória.

3. E/S.


( ) Local para armazenar instruções e dados temporariamente.

( ) Controla a operação do computador e desempenha funções de processamento de dados.

( ) Muitas vezes, chamado simplesmente de processador.

( ) Transfere dados entre o computador e o ambiente externo.

( ) Existem três técnicas principais: programada, dirigida por interrupção e acesso direto à memória.

( ) Organizada de maneira hierárquica, sendo o nível superior (mais próximo do processador) constituído de registradores do processador.

Alternativas
Respostas
1: D
2: C
3: D
4: D
5: B
6: E
7: D
8: B
9: A
10: C
11: B
12: C
13: B
14: C
15: D
16: B
17: D
18: B
19: B
20: D