Questões Militares
Sobre arquitetura na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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A técnica chamada Memória de laço de repetição utiliza uma pequena memória de alta velocidade, mantida pelo estágio de busca de instrução da pipeline, que é usada para manter as n instruções buscadas mais recentemente, em sequência. Caso o desvio seja tomado, o hardware verifica primeiramente se a instrução-alvo do desvio está armazenada nessa área de memória. Em caso afirmativo, a próxima instrução é buscada nessa área.
Analise as afirmações abaixo sobre as vantagens dessa técnica, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) Com o uso de busca antecipada, a memória de laço de repetição conterá certo número de instruções que estão à frente da instrução corrente na sequência de instruções do programa. Portanto, as instruções seguintes estarão disponíveis sem requerer o tempo usual de acesso à memória.
( ) Se ocorrer um desvio para um endereço-alvo localizado apenas algumas posições adiante do endereço da instrução de desvio, esse alvo já estará na memória de laço de repetição. Isso é útil por ser comum a ocorrência de sequências de comandos IF-THEN e IF-THEN-ELSE.
( ) Essa estratégia é particularmente adequada para lidar com laços de repetição ou iterações, daí, o
nome memória de laço de repetição. Se essa memória for suficientemente grande para conter
todas as instruções de um laço de repetição, essas instruções terão de ser buscadas da memória
apenas uma vez, para a primeira iteração. Nas iterações subsequentes, todas as instruções
necessárias já estarão nessa área de memória.
Correlacione as colunas abaixo com base nos conceitos e nas características de organização de sistemas microprocessados. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. CPU.
2. Memória.
3. E/S.
( ) Local para armazenar instruções e dados temporariamente.
( ) Controla a operação do computador e desempenha funções de processamento de dados.
( ) Muitas vezes, chamado simplesmente de processador.
( ) Transfere dados entre o computador e o ambiente externo.
( ) Existem três técnicas principais: programada, dirigida por interrupção e acesso direto à memória.
( ) Organizada de maneira hierárquica, sendo o nível superior (mais
próximo do processador) constituído de registradores do processador.
Sobre a arquitetura de processadores, correlacione as colunas e assinale a alternativa que contém a associação correta.
1. Arquitetura Pipeline.
2. Arquitetura Superescalar.
( ) Pode processar diversos fluxos de cada vez.
( ) Não possui paralelismo no nível de instruções.
( ) Possui limitações do tipo conflito de recursos.
( ) Emprega técnicas de atraso de instruções de desvio para maximizar a utilização da fila de instruções.
( ) Método padrão de implementação de microprocessadores de
alto desempenho.
De acordo com a utilização de barramentos, correlacione a coluna de barramentos à coluna de dispositivos/periféricos que são conectados a esses. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. Barramento local.
2. Barramento de sistema.
3. Barramento de alta velocidade.
4. Barramento de expansão.
( ) Memória principal.
( ) Processador.
( ) FireWire.
( ) Rede local.
( ) Interface serial.
( ) Dispositivo gráfico.
( ) Fax.
( ) Memória cache.
( ) Controlador de vídeo.
Analise as afirmativas a seguir e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Memórias RAM __________ armazenam dados baseados na carga de capacitores.
Memórias RAM __________ armazenam dados em flip-flops com portas lógicas.
Memórias RAM __________ necessitam de um sistema de regeneração de dados.
Memórias RAM __________ são voláteis, e perdem os dados quando desenergizadas.
Memórias RAM __________ possuem mais células de memória por unidade de área que RAMs __________.
Memórias RAM __________ são, em geral, mais rápidas que RAMs _________.
Analise as afirmativas a seguir e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
As _______ utilizam uma rede EEPROM que permite que essas sejam reprogramáveis.
________ possuem portas _____ e _____ em sua estrutura, entretanto, apenas as portas ________ são
programáveis.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Sobre a organização e funcionamento básico de um microprocessador, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) A ULA (Unidade Lógica e Aritmética e Lógica) é responsável por armazenar o ponteiro da instrução correntemente em execução.
( ) Os registradores da UCP (Unidade Central de Processamento) são uma área de memória que armazenam os dados relacionados aos programas em execução.
( ) O Program Counter (PC ou contador de instruções) mantém um registro de quantas instruções são executadas a cada ciclo de máquina.
( ) A pilha é uma região de memória que armazena as instruções que estão na fila de execução.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
A coluna a esquerda contém alguns tipos de memórias semicondutoras. A coluna a direita contém algumas características destas memórias. Relacione a coluna a direita com a da esquerda e depois assinale a sequência correta de alternativas abaixo.
A. ROM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM
E. RAM Estática
F. RAM Dinâmica
( ) volátil, conteúdo mantido se alimentação presente
( ) não volátil, apagada e programada eletricamente.
( ) não volátil, programada durante fabricação.
( ) não volátil, programada uma única vez pelo usuário.
( ) volátil, conteúdo precisa ser refrescado periodicamente.
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