Com relação aos transistores de junção por efeito de campo ...

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Q645120

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645120 Engenharia Eletrônica

Com relação aos transistores de junção por efeito de campo (JFET), é correto afirmar que:

são dispositivos controlados por corrente, diferentemente do que ocorre com o transistor bipolar que é controlado através da tensão.

possuem alta impedância de entrada para altas frequências, por isso têm ganhos de tensão muito maiores do que os dos transistores bipolares.

são eficientes quando aplicados em buffers devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

não são recomendados para amplificadores de RF devido ao alto nível de ruído na saída.

possuem normalmente altos ganhos de tensão devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

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