Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, respon...

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Q645122

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645122 Engenharia Eletrônica

Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, responsável pela criação dos materiais dos tipos p e n, assinale a opção INCORRETA.

Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado de material extrínseco.

O material do tipo n é criado com a introdução de elementos de impureza com cinco elétrons de valência que são chamados de átomos doadores.

O material do tipo p é obtido dopando-se um cristal de silício puro com átomos com três elétrons de valência, chamados átomos aceitadores.

Em um material do tipo p, a lacuna é o portador minoritário, e o elétron é o portador majoritário.

O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais tipo p e tipo n.

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