Questões Militares
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Analise o circuito a seguir.
Determine qual é a corrente lD para o transistor MOSFET NMOS polarizado na região de saturação do circuito acima.
Dados:
Suponha Vt = 1 V e Kn (W/L) = 1 mA/V2;
Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal (λ = 0); e ID = 1/2 K'n (W/L) =( VGS - Vt)2
I - Transistores MOSFET usados em circuitos digitais como chaves devem operar nas regiões de tríodo e corte.
Il- A região de saturação de MOSFET é usada na amplificação de sinais.
lll- Para operar como chave, os transistores TBJ devem operar na região ativa e de corte.
Analise o circuito a seguir.
Com base no circuito combinacional acima, analise as afirmativas abaixo e assinale a opção correta.
I- Q1 = AB +
II- Q2 = A ⊙ B
III-
Analise a figura a seguir.
Considere o diagrama acima e assinale a opção correta.
Dado:
Analise as figuras a seguir.
Tabela Verdade do Circuito Y
Considerando a tabela verdade e os diagramas
apresentados acima, identifique a função que executa o
circuito Y, sabendo que esse é composto por dois blocos
do circuito X, e assinale a opção correta,
Analise o circuito a seguir.
Determine qual é a função de transferência do circuito da figura acima.
Dado: Assuma a condição de contorno i(0) =0.
Analise o circuito a seguir.
Se Va= +5V, Vb = 0V e Vc;= +5V, determine qual é o valor
da saída Vou para um diodo ideal no circuito acima.
Analise o circuito a seguir.
Sabendo que o circuito acima tem todos os seus componentes ideais, calcule o sinal de saída (Vo) e assinale a opção correta.
Dado:
Sinal de entrada: Vi = e-2t COS (60t)
Analise a figura a seguir.
O Mapa de Karnaugh pode ser resolvido por dois
métodos: soma de produtos (SdP) e produto das somas
(PdS). Determine a expressão para Y, pelo método do
produto das somas, do mapa de Karnaugh acima e
assinale a opção correta.

Assinale a opção que apresenta o valor de K tal que o sistema, em malha fechada, seja marginalmente estável, e sua frequência ω de oscilação.
Analise a figura a seguir.
Com relação ao circuito acima, assinale a opção que apresenta os valores da resistência de RL para a máxima transferência de potência e para uma eficiência de 75%, respectivamente.
Dados:
• R1 = 15Ω
• R2 = 8Ω
• R3 = 7Ω
• I = 15A
• E1 = 10V
I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.

Assinale a opção que apresenta a resposta do sistema em malha fechada representado na figura acima a uma entrada do tipo degrau:
Dado: √15 = 3.87.
Analise as figuras a seguir.
O Cl 74HC164 é um registrador de deslocamento de 8 bits
composto por flip-flops D, acionado por até duas entradas
(DSA e DSB), gatilhado pela borda positiva do clock e
cujo diagrama lógico está representado na figura acima.
Considere a forma de onda dos sinais , CP (clock),
DAS, DSB e identifique o tipo de registrador e o valor
retido em Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7 após 7 ciclos de clock e
assinale a opção correta.
Dado: Suponha condições iniciais nulas.
Analise a figura abaixo.
E um plano vertical, uma esfera (E1) de massa m1 e carga q está dependurada na extremidade de uma mola. Abaixo da E1 está uma segunda esfera (E2), fixa, de massa m2 e carga -q. Calcule o valor da constante de elasticidade da mola (Km), considerando que o sistema está em equilíbrio, que a deformação da mola é de α metros, que a distância entre as esferas é de r metros, que a constante eletrostática é k e que a gravidade é g, e assinale a opção correta.
Analise o circuito a seguir.
Considerando o circuito acima e supondo diodos ideais, o
estado dos diodos e a tensão Vb no ponto B são,
respectivamente:

Dados:
dFe= 8000 kg/m3 MFe = 0.06 kg/mol μFe = 2.16-23 J/T NA = 6.1023