Questões de Eletricidade para Concurso
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Q1212098
Eletricidade
Considere: I. a tensão do circuito que o alimenta. II. o número de tomadas de corrente nele previsto. III. o tipo de equipamento a ser alimentado. IV. a corrente nominal de tomadas de corrente nele utilizadas. Para a classificação de um ponto de tomada, entre outros critérios, deve-se considerar o que consta em:
Q1212007
Eletricidade
Na determinação da potência instalada residencial, é correto afirmar:
Q1211852
Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
Q1211836
Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
Q1211741
Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.
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