Questões de Concurso
Sobre diodo na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 265 questões
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319776
Engenharia Eletrônica
Os diodos emissores de luz (LED) possuem, como base fundamental em suas confecções, os elementos semicondutores e convertem corrente elétrica em luz visível ou radiação infravermelha. Em relação aos tipos de cristais e sua dopagem, que caracterizam a coloração de sua luz, analise as assertivas abaixo.
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314063
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.
Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313872
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313871
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A tensão sobre um diodo zener operando na região de ruptura é aproximadamente nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313870
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
Em um semicondutor dopado que não esteja sujeito à aplicação de campo elétrico, a corrente de difusão é nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313869
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.
Q283847
Engenharia Eletrônica
Considerando ideal o diodo D, no circuito limitador série abaixo:
A tensão de pico na saída será:
A tensão de pico na saída será:
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANAC
Prova:
CESPE - 2012 - ANAC - Técnico em Regulação de Aviação Civil - Área 1 |
Q279524
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de uma aeronave relacionam-se entre si e entre suas
partes, elementos ou unidades, funcionando de maneira organizada,
com o objetivo de manter a aeronave em funcionamento. Acerca
dos diferentes sistemas das aeronaves, julgue os itens a seguir.
partes, elementos ou unidades, funcionando de maneira organizada,
com o objetivo de manter a aeronave em funcionamento. Acerca
dos diferentes sistemas das aeronaves, julgue os itens a seguir.
Para que o alternador, gerador que produz corrente alternada, forneça corrente contínua, substituindo o dínamo, utiliza-se um dispositivo chamado diodo.
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Transpetro
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Transpetro - Engenheiro Júnior - Elétrica |
Q264028
Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo, é apresentado o circuito de um retificador, onde os diodos D1 e D2 são considerados ideais e a tensão na entrada é dada por VS(t) = 200·sen(120π t).
Dessa forma, o nível médio da tensão, em volts, sobre o resistor de carga RL será
Dessa forma, o nível médio da tensão, em volts, sobre o resistor de carga RL será
Q263784
Engenharia Eletrônica
Em uma barreira óptica formada por um LED e um foto- transistor infravermelhos, cuja saída deve fornecer um nível lógico para o port de entrada de um microcontrolador, a forma correta de conectar o fototransistor é:
Q263776
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo corresponde a uma interface de potência a ser ligada a um port de saída de um microcontrolador:
O valor comercial mais adequado para o resistor RB é:
Port de saída:
VOH = 4,0 V (mínimo)
IOH = 0,8 mA (máximo)
Relé: Vbob = 12 V
Ibob = 40 mA
Transistor:
ICmáx = 500 mA
VBEsat = 0,7 V
hFEsat = 100
Q263761
Engenharia Eletrônica
Deseja-se obter uma tensão estabilizada de 12 V com capacidade de corrente de 20 mA a partir de uma tensão VE com valor médio de 20 V e ripple de ± 10%. O circuito usado está representado abaixo:
O resistor R comercial mais adequado tem valor nominal:
Diodo Zener:
VZ = 12 V
PZMÁX = 1 W
IZK = 10 mA
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Transpetro
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Transpetro - Engenheiro Júnior - Automação |
Q262968
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico digital acima, composto de diodos ideais, representa uma porta lógica de duas entradas X e Y e uma saída Z. Conforme mostrado na figura, a lógica que é usada é a lógica negativa, na qual o nível de tensão para “0” lógico vale 0V e para “1” lógico vale -5V. A tabela a seguir relaciona os valores das entradas X e Y com possíveis valores de saída.
A saída que corresponde à saída Z do circuito é a
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-RJ
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2012 - TRE-RJ - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q259606
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima é alimentado por fonte de tensão senoidal
, expressa em volts (V). O resistor de carga R tem resistência igual a 5 Ω. Considerando essas informações, julgue os itens subsecutivos.
O circuito acima é alimentado por fonte de tensão senoidal
, expressa em volts (V). O resistor de carga R tem resistência igual a 5 Ω. Considerando essas informações, julgue os itens subsecutivos.
O valor eficaz da corrente i(t) é igual a 2 A.
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-RJ
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2012 - TRE-RJ - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q259605
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima é alimentado por fonte de tensão senoidal, expressa em volts (V). O resistor de carga R tem resistência igual a 5 Ω. Considerando essas informações, julgue os itens subsecutivos.
O circuito acima é alimentado por fonte de tensão senoidal
, expressa em volts (V). O resistor de carga R tem resistência igual a 5 Ω. Considerando essas informações, julgue os itens subsecutivos.
A potência média dissipada no resistor R é superior a 20 W.
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Banco da Amazônia
Prova:
CESPE - 2012 - Banco da Amazônia - Técnico Científico - Engenharia Elétrica |
Q257489
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.
Um diodo ideal formado por uma junção p-n comporta-se como um circuito aberto, quando inversamente polarizado, e como um curto-circuito, quando diretamente polarizado.
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