Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 721 questões
Q548421
Engenharia Eletrônica
Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.
O circuito da figura II é um amplificador na configuração base
comum, e o seu ganho de corrente é menor que 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
DPF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - Polícia Federal - Perito Criminal Federal - Cargo 2 |
Q546695
Engenharia Eletrônica
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Ano: 2014
Banca:
IF-MT
Órgão:
IF-MT
Prova:
IF-MT - 2014 - IF-MT - Professor - Engenharia de Controle e Automoção |
Q540840
Engenharia Eletrônica
Analise o circuito apresentado na figura abaixo.
Os valores de IL e PZ são respectivamente:
Os valores de IL e PZ são respectivamente:
Q538784
Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2013 - DPE-SP - Agente de Defensoria - Engenheiro Elétrico |
Q529842
Engenharia Eletrônica
Considere o driver com SCR abaixo e as especificações: Relé − tensão nominal da bobina 5 V, corrente nominal da bobina
20 mA.
SCR − IF = 4A; VGT = 1V; VTM = 2V; IH = 4 mA.
Para o relé operar próximo das suas especificações nominais, o valor comercial de Rx deve ser
SCR − IF = 4A; VGT = 1V; VTM = 2V; IH = 4 mA.
Para o relé operar próximo das suas especificações nominais, o valor comercial de Rx deve ser
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2013 - DPE-SP - Agente de Defensoria - Engenheiro Elétrico |
Q529840
Engenharia Eletrônica
Analise o circuito e as afirmativas abaixo.
I. A chave é usada para, na posição 1, acender a lâmpada e na posição 2, para apagá-la.
II. Depois de acesa a lâmpada, a chave pode retornar para a posição zero que a lâmpada continuará acesa.
III. Com a chave na posição 1, a lâmpada acende com potência reduzida.
IV. Depois de ligada, o produto R2×C determina o tempo em que a lâmpada permanecerá acesa.
V. Com a chave na posição 2 haverá corrente de gatilho em ambos os semiciclos da tensão da rede.
Está correto o que consta APENAS em
I. A chave é usada para, na posição 1, acender a lâmpada e na posição 2, para apagá-la.
II. Depois de acesa a lâmpada, a chave pode retornar para a posição zero que a lâmpada continuará acesa.
III. Com a chave na posição 1, a lâmpada acende com potência reduzida.
IV. Depois de ligada, o produto R2×C determina o tempo em que a lâmpada permanecerá acesa.
V. Com a chave na posição 2 haverá corrente de gatilho em ambos os semiciclos da tensão da rede.
Está correto o que consta APENAS em
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500672
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico mostrado na Figura acima está polarizado com todos os componentes calculados para funcionar de acordo com a reta de carga traçada sobre a curva característica do transistor bipolar NPN.
Considerando I c = 6 mA e com base no circuito e no Gráfico da reta de carga, o valor, em Ω, do resistor RE é
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Polícia Federal
Prova:
CESPE - 2013 - Polícia Federal - Perito Criminal Federal - Cargo 2 |
Q491358
Engenharia Eletrônica
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Ano: 2015
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2015 - Petrobras - Profissional Júnior - Engenharia Elétrica |
Q486534
Engenharia Eletrônica
O módulo fotovoltaico da Figura acima dispõe dos terminais T1 e T2 para se conectar em outros módulos e no sistema elétrico. O módulo ainda conta com um diodo, que é tipicamente utilizado em sistemas dessa natureza.
Com relação ao funcionamento dos módulos fotovoltaicos, esse diodo desempenha a função de
Ano: 2015
Banca:
FGV
Órgão:
TJ-BA
Prova:
FGV - 2015 - TJ-BA - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q467964
Engenharia Eletrônica
O conversor CC-CC apresentado na figura abaixo possui característica de transferência do tipo abaixadora-elevadora de tensão.
Esse conversor é do tipo:
Esse conversor é do tipo:
Ano: 2015
Banca:
FGV
Órgão:
TJ-BA
Prova:
FGV - 2015 - TJ-BA - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q467963
Engenharia Eletrônica
Considere um diodo com tensão zener de 10 V e potência de 500 mW, sendo alimentado por uma fonte de 20 V. Sabendo-se que a corrente de zener mínima é igual a 20 % da corrente de zener máxima e que a corrente média de carga é igual a 10 mA. O valor da resistência Rz a ser ligado em série com esse diodo deve ser:
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Eletrônica |
Q462978
Engenharia Eletrônica
Uma corrente elétrica de natureza aleatória tem sua função densidade de probabilidade distribuída conforme mostrado no Gráfico acima, onde i é uma variável aleatória. Considere, nesse caso, que o valor eficaz ou r.m.s. do sinal de corrente é obtido pela expressão Irms= √E[i2], onde E [ . ] representa o valor esperado ou expectância da variável aleatória.
Qual é o valor r.m.s. desse sinal aleatório?
Qual é o valor r.m.s. desse sinal aleatório?
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Eletrônica |
Q462965
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No circuito abaixo, considere que o transistor Q1 apresenta uma tensão VEB = 0,7 V quando a junção base-emissor está diretamente polarizada, e que o seu parâmetro β é muito grande. Considere também o Gráfico da evolução no tempo da tensão VB aplicada à base do transistor Q1 .
O Gráfico da corrente I R2 que circula pelo resistor R2 será
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Eletrônica |
Q462946
Engenharia Eletrônica
Em algumas aplicações na área de instrumentação, é necessário amplificação com elevado ganho de malha fechada. Nesse sentido, é possível acoplar vários estágios de amplificadores com alta impedância de entrada, formando uma ligação conhecida como cascata.
Se três estágios de amplificadores idênticos com ganho de tensão de 2 dB forem ligados em cascata, qual será o ganho total, em dB, e qual o efeito que ocorre na largura de faixa resultante dessa ligação?
Se três estágios de amplificadores idênticos com ganho de tensão de 2 dB forem ligados em cascata, qual será o ganho total, em dB, e qual o efeito que ocorre na largura de faixa resultante dessa ligação?
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEGESP-AL
Prova:
CESPE - 2013 - SEGESP-AL - Perito Criminal - Engenharia |
Q458481
Engenharia Eletrônica
No que se refere às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens de subsequentes.
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2,VTN = 1V e λ = 0,0133V-1 , é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando-se a parte fracionária do resultado e utilizando-se √1,2=1,1
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2,VTN = 1V e λ = 0,0133V-1 , é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando-se a parte fracionária do resultado e utilizando-se √1,2=1,1
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Chesf
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Chesf - Profissional de Nível Superior - Eletrônica ou Telecomunicações |
Q457409
Engenharia Eletrônica
Os diodos semicondutores são componentes eletrônicos empregados em diversos circuitos. Tais componentes são formados pela junção de dois materiais semicondutores com dopagens tipo N e tipo P, denominada junção PN.
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Elétrica |
Q454072
Engenharia Eletrônica
A fonte de alimentação regulada da Figura abaixo usa um transistor de junção NPN e um diodo zener, ambos consideradosideais. O zener serve para manter a tensão de referência, com o objetivo de regular a tensão sobre a carga resistiva.
Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Elétrica |
Q454071
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A Figura abaixo mostra um circuito eletrônico, composto de um diodo de junção considerado ideal, que alimenta uma carga resistiva de 10 Ω.
Aplicando-se na entrada Vi a onda quadrada periódica mostrada na Figura, o valor da potência média, em W, dissipada na carga resistiva de 10Ω, é
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador Tecnologista em Metrologia e Qualidade - Informática Aplicada à Metrologia Legal |
Q449575
Engenharia Eletrônica
Sistemas de aquisição de dados por computador são utilizados em uma grande variedade de aplicações. Tipicamente, esses sistemas são usados para medição de tensões de entrada e de saída por meio de procedimentos de condicionamento de sinais, que têm como etapa importante a amplificação do sinal a ser medido. A principal função dessa etapa de amplificação é
Ano: 2014
Banca:
FGV
Órgão:
TJ-GO
Prova:
FGV - 2014 - TJ-GO - Analista Judiciário - Engenheiro Eletricista |
Q445948
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O esquema eletrônico a seguir apresenta um dispositivo de disparo utilizando SCR.
Na condição em que o SCR está conduzindo, a potência dissipada no resistor de 100 Ω que está ligado ao anodo é 25 W e a corrente de gatilho é 450 mA. A tensão de gatilho do SCR para essas condições é igual a:
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