Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 777 questões
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319773
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra um amplificador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão de saída é, aproximadamente,
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314066
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314065
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314064
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314063
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.
Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313872
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313870
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
Em um semicondutor dopado que não esteja sujeito à aplicação de campo elétrico, a corrente de difusão é nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313869
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
PEFOCE
Prova:
CESPE - 2012 - PEFOCE - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |
Q805084
Engenharia Eletrônica
Famílias de circuitos lógicos têm características próprias quanto a complexidade de implementação, consumo de potência, frequência de operação, margem de ruído. Alguns desses tipos de famílias já se tornaram obsoletos ou passaram por evoluções e aperfeiçoamento. Com relação a esse assunto, julgue o próximo item.
Os transistores de efeito de campo do tipo depleção possuem um canal formado, mesmo com tensão porta-fonte, Vpf, nula. Contudo, se o valor dessa tensão for variado, é possível variar a resistência desse canal e, consequentemente, a corrente elétrica dreno-fonte, Idf.
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500672
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico mostrado na Figura acima está polarizado com todos os componentes calculados para funcionar de acordo com a reta de carga traçada sobre a curva característica do transistor bipolar NPN.
Considerando I c = 6 mA e com base no circuito e no Gráfico da reta de carga, o valor, em Ω, do resistor RE é
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Chesf
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Chesf - Profissional de Nível Superior - Eletrônica ou Telecomunicações |
Q457409
Engenharia Eletrônica
Os diodos semicondutores são componentes eletrônicos empregados em diversos circuitos. Tais componentes são formados pela junção de dois materiais semicondutores com dopagens tipo N e tipo P, denominada junção PN.
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Ano: 2012
Banca:
FMP Concursos
Órgão:
PROCEMPA
Prova:
FMP Concursos - 2012 - PROCEMPA - Engenheiro |
Q443615
Engenharia Eletrônica
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo.
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Instrumentação-2012 |
Q431750
Engenharia Eletrônica
Um posicionador é um servo amplificador
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica-2012 |
Q431703
Engenharia Eletrônica
Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431455
Engenharia Eletrônica
Na figura acima, é apresentado o circuito de um conversor CC-CC do tipo Buck-boost.
Sobre esse conversor, considere as afirmativas a seguir.
I - A tensão na saída V0 apresenta uma polaridade invertida em relação à tensão na entrada Vl do conversor.
II - O módulo da tensão na saída V0 será menor que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Buck, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo descontínuo.
III - O módulo da tensão na saída V0 será maior que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Boost, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo contínuo.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431454
Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo, é apresentado um retificador controlado a tiristor (SCR), alimentando uma carga resistiva RL= 20 Ω. Na mesma figura, são apresentadas as formas de onda da tensão senoidal VR no primário do transformador e do sinal VG aplicado ao gate do tiristor.
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431452
Engenharia Eletrônica
No circuito da figura acima, considere que ambos os transistores possuem um parâmetro ß muito elevado, de maneira que a corrente de base pode ser considerada desprezível em comparação com a corrente de coletor. Além disso, considere VBE= 0,7 V para ambos os transistores quando a junção base-emissor estiver diretamente polarizada. Dessa forma, verifica-se que
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431451
Engenharia Eletrônica
No circuito da figura abaixo, o amplificador operacional é ideal, e o transistor apresenta um parâmetro ß elevado o suficiente para que a corrente de base seja considerada desprezível em comparação com a corrente de coletor.
A partir do gráfico apresentado na figura com a forma de onda da tensão aplicada à entrada Vi do circuito, qual seria o gráfico da forma de onda da tensão na saída V0 ?
A partir do gráfico apresentado na figura com a forma de onda da tensão aplicada à entrada Vi do circuito, qual seria o gráfico da forma de onda da tensão na saída V0 ?
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