Questões de Concurso Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

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Q364643
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Alternativas
Q364642
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364642 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.
Alternativas
Q364641
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Alternativas
Q364640
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364640 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.
Alternativas
Q338026
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CETRO Órgão: ANVISA Prova: CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 |
Q338026 Engenharia Eletrônica
O isolamento de amplificadores, uma das técnicas de condicionamento de sinal, pode ser definido como a separação entre dois sinais, de modo a interagir entre eles, visando a um aspecto de segurança. Sobre os tipos de isolamento existentes, assinale a alternativa incorreta.

Alternativas
Q338025
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CETRO Órgão: ANVISA Prova: CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 |
Q338025 Engenharia Eletrônica
Sobre o amplificador diferencial, analise as assertivas abaixo.

I. É um subcircuito composto de um conjunto de transistores (1 ou mais) que diminui a diferença de tensão entre suas duas saídas.

II. É normalmente utilizado como estágio de saída.

III. É facilmente cascateado sem necessidade de acoplamento.

É correto o que se afirma em

Alternativas
Q331309
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: MS Prova: CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331309 Engenharia Eletrônica
Imagem 012.jpg

Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A partir das informações apresentadas, é correto afirmar que V5 < 5 V para a = 2.
Alternativas
Q331308
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: MS Prova: CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308 Engenharia Eletrônica
Imagem 012.jpg

Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.

Imagem 013.jpg
Alternativas
Q331307
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: MS Prova: CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307 Engenharia Eletrônica
Imagem 012.jpg

Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Alternativas
Q319776
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CETRO Órgão: ANVISA Prova: CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319776 Engenharia Eletrônica
Os diodos emissores de luz (LED) possuem, como base fundamental em suas confecções, os elementos semicondutores e convertem corrente elétrica em luz visível ou radiação infravermelha. Em relação aos tipos de cristais e sua dopagem, que caracterizam a coloração de sua luz, analise as assertivas abaixo.
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.

É correto o que se afirma em:
Alternativas
Q319773
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CETRO Órgão: ANVISA Prova: CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319773 Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra um amplificador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão de saída é, aproximadamente,

Imagem 021.jpg
Alternativas
Q314066
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314066 Engenharia Eletrônica
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Alternativas
Q314065
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314065 Engenharia Eletrônica
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
Alternativas
Q314064
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314064 Engenharia Eletrônica
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
Alternativas
Q314063
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314063 Engenharia Eletrônica
Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.
Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.
Alternativas
Q314058
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058 Engenharia Eletrônica
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Alternativas
Q314057
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057 Engenharia Eletrônica
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Alternativas
Q313872
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313872 Engenharia Eletrônica
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
Alternativas
Q313870
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313870 Engenharia Eletrônica
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
Em um semicondutor dopado que não esteja sujeito à aplicação de campo elétrico, a corrente de difusão é nula.
Alternativas
Q313869
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2013 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPI Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313869 Engenharia Eletrônica
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.
Alternativas
Respostas
561: E
562: C
563: E
564: C
565: D
566: E
567: C
568: E
569: E
570: D
571: D
572: E
573: C
574: C
575: C
576: E
577: C
578: C
579: E
580: C
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