Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 721 questões
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364653
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.
Na aplicação do amplificador operacional como integrador, a tensão de off-set, mesmo quando de reduzido valor, faz que a saída aumente continuamente com entrada aterrada.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364646
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364642
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364640
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 |
Q338026
Engenharia Eletrônica
O isolamento de amplificadores, uma das técnicas de condicionamento de sinal, pode ser definido como a separação entre dois sinais, de modo a interagir entre eles, visando a um aspecto de segurança. Sobre os tipos de isolamento existentes, assinale a alternativa incorreta.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 |
Q338025
Engenharia Eletrônica
Sobre o amplificador diferencial, analise as assertivas abaixo.
I. É um subcircuito composto de um conjunto de transistores (1 ou mais) que diminui a diferença de tensão entre suas duas saídas.
II. É normalmente utilizado como estágio de saída.
III. É facilmente cascateado sem necessidade de acoplamento.
É correto o que se afirma em
I. É um subcircuito composto de um conjunto de transistores (1 ou mais) que diminui a diferença de tensão entre suas duas saídas.
II. É normalmente utilizado como estágio de saída.
III. É facilmente cascateado sem necessidade de acoplamento.
É correto o que se afirma em
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331309
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A partir das informações apresentadas, é correto afirmar que V5 < 5 V para a = 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319776
Engenharia Eletrônica
Os diodos emissores de luz (LED) possuem, como base fundamental em suas confecções, os elementos semicondutores e convertem corrente elétrica em luz visível ou radiação infravermelha. Em relação aos tipos de cristais e sua dopagem, que caracterizam a coloração de sua luz, analise as assertivas abaixo.
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319773
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra um amplificador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão de saída é, aproximadamente,
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314066
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
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