Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso

Em relação às memórias EPROM, EEPROM e FLASH, considere as seguintes afirmativas:
I. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. II. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EEPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. III. A memória FLASH apresenta densidade mais elevada e custo mais baixo que a memória EEPROM.

Das afirmativas apresentadas acima, apenas:

Considere o conversor tiristorizado monofásico com carga resistiva apresentado e as formas de onda de entrada e saída apresentadas a seguir para responder à questão .

O valor eficaz da tensão V_a em função do ângulo de disparo (a) e da tensão de pico na entrada do conversor (V_m) é dado por: 

Considere o conversor tiristorizado monofásico com carga resistiva apresentado e as formas de onda de entrada e saída apresentadas a seguir para responder à questão.

Considerando o ângulo de disparo a = 0°, o valor médio da tensão na carga resistiva será igual a: 

O diagrama lógico apresentado abaixo representa o LATCH com portas NAND.

Quando as entradas SET e RESET são iguais a 1, o que ocorre com as saídas

Aplicando as regras de simplificação no circuito combinacional apresentado acima, é possível obter uma saída simplificada com o número de portas lógicas reduzidas dado por: