Questões de Física - Eletricidade para Concurso

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Q2319960 Física

Em um sistema de medição de vazão mássica, uma placa de orifício é utilizada para criar uma pressão diferencial.

Neste contexto, a vazão mássica é 

Alternativas
Q2319627 Física
Observe os circuitos elétricos a seguir, atentando para a posição da(s) pilha(s), e assinale qual deles é o único capaz de acender a lâmpada? 
Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297517 Física
Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa concentração de portadores de carga, a distribuição de elétrons entre as bandas de valência e de condução pode ser aproximada pela distribuição de Maxwell-Boltzmann, que pode ser escrita na seguinte forma:

Imagem associada para resolução da questão


onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E0 é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10-5eV.K-1); e T é a temperatura de equilíbrio.
Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27 ºC?
Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297516 Física
Considere a figura 17, em que se apresentam duas situações que favorecem a obtenção de contatos ôhmicos em dispositivos eletrônicos.
Imagem associada para resolução da questão

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.

Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.

A sequência correta é:
Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297514 Física

Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky. 



Imagem associada para resolução da questão



S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.



Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:


( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.


( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.


( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.


Assinale a alternativa com a sequência correta.

Alternativas
Respostas
56: A
57: E
58: C
59: A
60: A