Questões de Física - Eletricidade para Concurso
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Em um sistema de medição de vazão mássica, uma placa de orifício é utilizada para criar uma pressão diferencial.
Neste contexto, a vazão mássica é
onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E0 é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10-5eV.K-1); e T é a temperatura de equilíbrio.
Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27 ºC?
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.
A sequência correta é:
Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.
Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:
( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.
( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.
( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.
Assinale a alternativa com a sequência correta.