A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída v_O(t) eentrada v_I(t) é dado por -R_LG.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

A impedância de Norton vista à esquerda da seta S₁ é dada por GR_L.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Em análise do circuito pelo método dos nós, observa-se que existem duas restrições em relação a dois nós, excetuando-se o nó de terra.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O parâmetro R_E não influencia no ganho de transcondutância i_L(t)/v_I (t) do circuito.

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e R_E são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada v_I (t) e à carga R_L nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Se v_I (t) > 0, então v_O(t) > 0.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que V_i = 5 V, V_CC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no coletor.

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que V_i = 5 V, V_CC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência R_C deve ser igual a 250 Ω .

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que V_i = 5 V, V_CC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

Se R_C = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a Ω tensão entre o coletor e o emissor é 3V.

No que se refere aos circuitos lógicos, julgue o item a seguir.

Quando a entrada A do circuito mostrado na figura abaixo for 5 V, a saída Y será nula.