Materiais condutores, semicondutores e isolantes são extens...

a) materiais isolantes, como GaAs e SiO2 , apresentam um gap de energia maior que 5,0 eV entre as bandas de condução e de valência. Falso: O arsenieto de gálio (GaAs) é um material semicondutor com um gap de energia de 1,4 eV (a 300 Kelvin). Já o dióxido de sílicio (SiO2), também conhecido como sílica, é um material isolante com gap de energia de 8,8 eV. Vale ressaltar que é verdadeiro afirmar que materiais isolantes apresentam um gap de energia maior que 5,0 eV.

b) materiais semicondutores, como Si e Si3 N4 , apresentam um gap de energia menor que 0,8 eV entre as bandas de condução e de valência. Falso: O silício (Si) é um material semicondutor com um gap de energia de 1,1 eV. Já o nitreto de silício (Si3 N4) é um conhecido isolante de equipamentos eletrônicos. Além disso, os materiais semicondutores possuem um gap de energia compreendido entre 0,23 e 2,4 eV.

c) um semicondutor puro ou intrínseco não é capaz de conduzir corrente elétrica, mesmo quando submetido a um campo elétrico em temperatura ambiente. Falso: Os semicondutores possuem como característica serem normalmente isolantes em condições normais, e, sob alguma atuação externa (temperatura, iluminação ou campo elétrico) conduzirem corrente elétrica.

d) ao contrário de condutores metálicos como o cobre, materiais semicondutores como o silício apresentam uma redução na sua resistividade com o aumento da temperatura. Verdadeiro: A variação de resistividade é dada por:

p = p0 (1+alpha*ΔT)

O coeficiente de temperatura alpha dos materiais semicondutores é negativo; portanto, a resistividade do semicondutor diminuirá com o aumento de temperatura. Já os condutores metálicos, possuem coeficiente de temperatura positivo, fazendo com que a resistividade aumente com o aumento da temperatura.

e) diferentemente dos condutores metálicos, a condução de corrente elétrica em semicondutores pode ocorrer através de três mecanismos distintos denominados deriva, difusão e depleção. Falso: A condução de corrente elétrica em semicondutores pode ocorrer por difusão ou deriva. A difusão está associada ao movimento aleatório provocado pela agitação térmica e a deriva ocorre quando se aplica ao semicondutor um campo elétrico.