Questões de Concurso Comentadas por alunos sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
O circuito apresentado na figura precedente pode ser modelado pelo teorema de Thévenin como
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com
silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir
níveis de energia indesejados nas bandas do sistema,
atrapalhando o fluxo de corrente.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Quais são as medidas para as tensões Vb, Vc e Vac, respectivamente?