Questões de Concurso

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Q1828155 Engenharia Eletrônica
No contexto dos materiais isolantes, no que se refere à rigidez dielétrica, assinale V para a afirmativa verdadeira e F para a falsa. 
( ) Rigidez dielétrica é o limite superior da intensidade de campo elétrico que determinado dielétrico é capaz de suportar sem tornar-se condutor. ( ) A rigidez dielétrica mede o campo elétrico máximo que um meio isolante suporta antes de tornar-se condutor. Quando isso acontece, diz-se que houve ruptura da rigidez dielétrica do material. A rigidez dielétrica costuma ser medida em V/m ou em kV/mm. ( ) A rigidez dielétrica é definida com base na razão da permissividade elétrica de um meio pela permissividade elétrica do vácuo. Essa propriedade é aplicada em capacitores, uma vez que se procura inserir, entre suas placas, meios com grandes constantes dielétricas, aumentando-se, assim, a sua capacitância.
As afirmativas são, respectivamente,
Alternativas
Q1828154 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito capacitivo abaixo com o correspondente diagrama fasorial: 


Imagem associada para resolução da questão


No caso de a frequência do gerador aumentar, mantendo a tensão constante, os valores das grandezas XC – I – VC – VR vão, respectivamente, variar do seguinte modo: 

Alternativas
Q1828153 Engenharia Eletrônica
No que se refere aos materiais semicondutores, analise as afirmativas a seguir:
I. Os semicondutores são elementos tetravalentes, possuindo quatro elétrons na camada de valência, sendo os mais comuns e mais utilizados o silício (Si) e o germânio (Ge). II. No semicondutor do tipo N, o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas. Neste semicondutor, os elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários. III. No semicondutor do tipo P, o número de lacunas é maior que o número de elétrons livres. Neste semicondutor, as lacunas são portadores majoritários e os elétrons livres são portadores minoritários.
Assinale  
Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Mecatrônico |
Q1755625 Engenharia Eletrônica
A figura a seguir apresenta um circuito transistorizado alimentado por uma bateria – VCC de 12 V. Os valores de RC e RE são respectivamente iguais a 1000 Ω e 300 Ω e as diferenças de potencial nos resistores Re e Rc são iguais a, respectivamente, a 10% e 40 % de VCC.
Imagem associada para resolução da questão Os valores das correntes de emissor e base são, em mA, respectivamente, iguais a
Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Eletrônico |
Q1755036 Engenharia Eletrônica

A respeito do SCR, dispositivo de potência de estado sólido muito utilizado na eletrônica industrial, analise as afirmativas a seguir.


I. O SCR possui sua construção realizada em 4 camadas tipo p e n, resultando em PNPN.

II. Para que o SCR entre em condução, além de estar diretamente polarizado, um pulso de tensão positiva deve ser aplicado no gatilho.

III. O gatilho deve permanecer com corrente para manter o SCR conduzindo.


Está correto o que se apresenta em

Alternativas
Respostas
36: C
37: B
38: E
39: E
40: D