Questões Militares de Engenharia Eletrônica - Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica - Página 10

Q645132

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645132 Engenharia Eletrônica

Observe a figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Com base nos dados apresentados acima, pode-se afirmar que:

A

a figura apresenta os parâmetros de entrada para um transistor amplificador de silício com uma configuração base-comum.

B

não é possível desprezar as variações da relação V_BE e I_Eem relação à V_CB para baixas frequências, pois não se pode desconsiderar os efeitos reativos devido às capacitâncias interna e de fuga.

C

a figura apresenta os parâmetros de entrada para um transistor amplificador de silício com uma configuração emissor-comum, pois demonstra as variações de I_E proporcionais à V_CB.

D

a figura apresenta os parâmetros de saída para um transistor de silício com uma configuração coletor-comum, pois demonstra as variações de V_CB em relação à I_E.

E

a figura, embora apresente os parâmetros para um transistor amplificador de silício com uma configuração base-comum, suas características podem ser utilizadas para projetar circuitos com configuração coletor-comum.

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Q645126

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645126 Engenharia Eletrônica

Referente aos diversos tipos de diodos, é correto afirmar que os

A

diodos tipo VARICAP têm seu modo de operação dependente da capacitância existente na junção PN, quando o elemento está diretamente polarizado.

B

diodos tipo Schottky têm internamente uma barreira de junção maior do que a encontrada em outros dispositivos de junção PN, tanto na junção diretamente polarizada como na inversamente polarizada, proporcionando melhor resposta em altas frequências.

C

diodos tipo Túnel possuem uma região de depleção muito reduzida, porque são dopados intensamente em relação ao diodo tipico.

D

fotodiodos são dispositivos semicondutores que operam quando são polarizados diretamente.

E

diodos tipo Zener são utilizados principalmente como fontes de corrente constante.

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Q645122

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645122 Engenharia Eletrônica

Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, responsável pela criação dos materiais dos tipos p e n, assinale a opção INCORRETA.

A

Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado de material extrínseco.

B

O material do tipo n é criado com a introdução de elementos de impureza com cinco elétrons de valência que são chamados de átomos doadores.

C

O material do tipo p é obtido dopando-se um cristal de silício puro com átomos com três elétrons de valência, chamados átomos aceitadores.

D

Em um material do tipo p, a lacuna é o portador minoritário, e o elétron é o portador majoritário.

E

O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais tipo p e tipo n.

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Q645121

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645121 Engenharia Eletrônica

Um método usado para classificar amplificadores de potência é o de Classes. As Classes de amplificadores basicamente indicam quanto o sinal de saída varia, sobre um ciclo de operação, para um ciclo completo do sinal de entrada. Assinale, dentre as opções abaixo, aquela que NÃO descreve corretamente uma dessas Classes de amplificadores.

A

Em um amplificador Classe A, o sinal varia por um ciclo completo de 360°.

B

Em um amplificador Classe B, o sinal varia sobre a metade do ciclo da entrada, ou por 180° de sinal.

C

Em um amplificador Classe AB, a oscilação do sinal de saída ocorre entre 180° e 360°.

D

A saída de um amplificador da Classe C é polarizada para uma operação em menos de 180° do ciclo, sendo muito utilizado em circuitos sintonizados para rádio comunicação.

E

Um amplificador da Classe D normalmente é usado para circuitos analógicos de instrumentação e medição, apresentando um ciclo de operação entre 180° e 270°.

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Q645120

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645120 Engenharia Eletrônica

Com relação aos transistores de junção por efeito de campo (JFET), é correto afirmar que:

A

são dispositivos controlados por corrente, diferentemente do que ocorre com o transistor bipolar que é controlado através da tensão.

B

possuem alta impedância de entrada para altas frequências, por isso têm ganhos de tensão muito maiores do que os dos transistores bipolares.

C

são eficientes quando aplicados em buffers devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

D

não são recomendados para amplificadores de RF devido ao alto nível de ruído na saída.

E

possuem normalmente altos ganhos de tensão devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

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Q645110

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645110 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando os capacitores de acoplamento com impedância zero para a frequência de operação, determine o ganho de tensão e a impedância de entrada aproximados, para pequenos sinais, do circuito a acima.

A

-2 e 10,7 kΩ

B

2 e 9,8 kΩ

C

2,7 e 10,9 kΩ

D

1,7 e 11 kΩ

E

-2 e 9,8 kΩ

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Q645108

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645108 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando os diodos de silício da figura e Vd(silício)=0,7 V, determine a corrente I1 que passa em RI e assinale a opção correta.

A

2,89 mA

B

2,70 mA

C

3,27 mA

D

2,18 mA

E

3,45 mA

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Q645107

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645107 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

O circuito acima constitui uma porta lógica TTL com quatro entradas. Assinale a opção que identifica de forma correta a função lógica desempenhada por este circuito.

A

NAND (NE) de quatro entradas.

B

NOR (NOU) de quatro entradas.

C

AND (E) de quatro entradas.

D

OR (OU) de quatro entradas.

E

Inverter (NÃO) de quatro entradas.

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Q645104

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645104 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando Vd = tensão no dreno, determine Rs para que Vd seja igual a 10 V, quando Vgs for -3 V, e assinale a opção correta.

A

3,7 kΩ

B

2 kΩ

C

20 kΩ

D

1 kΩ

E

1,5 kΩ

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Q645100

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645100 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando "A " e "B" como entradas e "S" como saída, a qual função lógica corresponde o circuito acima?

A

E

B

OU

C

NÃO E

D

NÃO OU

E

OU EXCLUSIVO

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Q645093

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645093 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando Tensão de zener = 15 v; IE ~ IC; Q1 de silício, com VBE = 0,7 v, qual a tensão de saída e a potência dissipada no transistor Q1 do regulador de tensão acima?

A

14,3 V e 6,9 W

B

14,3 V e 10,2 W

C

15 V e 6,8 W

D

15,7 V e 6,5 W

E

15,7 V e 12,3 W

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Q645090

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645090 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando que a tensão de alimentação do circuito acima é suficiente para ligar ambos os diodos, passando a existir uma tensão de 0,7 V sobre cada diodo, assinale a opção que apresenta os valores corretos para as correntes I₁, I₂ e I_D2.

A

I₁ = 0,466 mA; I₂ = 2,14 mA; e I_D2 - 1,67 mA

B

I₁ = 0,466 mA; I₂ = 3, 74 mA; e I_D2 = 2,67 mA

C

l₁ = 0,233 mA; I₂ = 2,14 mA; e I_D2 = 1,67 mA

D

I₁ = 0,233 mA; I₂ = 2,76 mA; e l_D2 = 2,52 mA

E

I₁ = 0,399 mA; I₂ = 3,76 mA; e I_D2 = 1,52 mA

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Q645089

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645089 Engenharia Eletrônica

Observe a figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

No circuito acima, o transistor Q1 encontra-se:

A

saturado.

B

em curto.

C

na região ativa.

D

cortado.

E

com emissor em terra.

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Q645080

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645080 Engenharia Eletrônica

Com relação aos sistemas ópticos, é correto afirmar que:

A

os diodos emissores de luz (LEDs) têm maior potência óptica, se comparados aos diodos laser (LDs).

B

os diodos laser (LDs) são mais sensíveis à variação de temperatura, do que os diodos emissores de luz (LEDs).

C

a complexidade de fabricação dos diodos laser (LDs) é muito menor do que a dos diodos emissores de luz (LEDs).

D

a largura espectral do feixe óptico emitido pelos diodos emissores de luz (LEDs) é menor do que a dos diodos laser (LDs).

E

o custo de produção dos diodos emissores de luz (LEDs) é muito maior do que o custo dos diodos laser (LDs).

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Q645078

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645078 Engenharia Eletrônica

Coloque V (verdadeiro) ou F (falso) nas afirmativas abaixo, assinalando, a seguir, a opção correta.

( ) Um material semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco.

( ) À temperatura de 25° C, a barreira de potencial de um diodo de silício é maior que a barreira de potencial de um diodo de germânio.

( ) Em um semicondutor tipo P, os elétrons livres são chamados de portadores majoritários, e as lacunas são chamadas de portadores minoritários.

A

(F) (F) (F)

B

(F) (F) (V)

C

(V) (F) (F)

D

(F) (V) (V)

E

(V) (V) (F)

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Q645073

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645073 Engenharia Eletrônica

Como são chamados os três terminais do dispositivo SCR (Retificador Controlado de Silício)?

A

Porta; anodo; e catodo.

B

Base; anodo; e catodo.

C

Porta; dreno; e fonte.

D

Base; emissor; e coletor.

E

Porta; emissor; e coletor.

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Q645070

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645070 Engenharia Eletrônica

Qual é o dispositivo eletrônico que possui a porta eletricamente isolada do canal condutor?

A

Diodo comum.

B

Diodo zener.

C

MOSFET.

D

JFET.

E

Transistor bipolar.

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Q645064

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645064 Engenharia Eletrônica

Assinale a opção que corresponde a um dispositivo tiristor bidirecional.

A

Diodo Schocley.

B

Diodo Zener.

C

Varistor .

D

SCR.

E

TRIAC.

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Q645063

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645063 Engenharia Eletrônica

Das famílias lógicas TTL apresentadas nas opções abaixo, assinale aquela que apresenta a menor velocidade de comutação.

A

74AS

B

74ALB

C

74ALVT

D

74AVC

E

74AHC

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Q645054

Ano: 2010 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2010 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645054 Engenharia Eletrônica

Além do retificador, quais são os componentes básicos de uma fonte estabilizada?

A

Conversor; e driver de saída.

B

Estabilizador; e conversor.

C

Filtro; e regulador.

D

Estabilizador; e driver de saída.

E

Conversor; e filtro.

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