Questões de Concurso
Sobre álgebra booleana e circuitos lógicos em engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Elaborado pelo(a) autor(a).
A saída X, Y que corresponde a uma entrada A, B, C = 1, 1, 0 é
O mapa de Karnaugh a seguir foi construído a partir de uma tabela-verdade com 3 entradas: A, B e C e uma saída S.
Elaborado pelo(a) autor(a).
Uma expressão lógica para a saída S, a partir do mapa
mostrado, é
Com base na tabela-verdade precedente, que estabelece as relações entre as entradas A, B, C e a saída correspondente de um circuito digital combinacional, julgue item a seguir.
A expressão booleana correspondente à saída é 
De acordo com a expressão booleana para o circuito indicado na figura, é correto afirmar que:
Fonte: JUNIOR, R. T.; JULIÃO, J. M.; Circuitos digitais, Curso técnico de
manutenção e suporte em informática, Ministério da Educação, E-TEC, 2012
Com base no mapa de Karnaugh precedente, considerando-se que a função f(A,B,C) seja obtida a partir da simplificação desse mapa e que a variável X’ corresponda à operação NÃO X, é correto afirmar que f(A,B,C) apresenta, na sua forma simplificada,
Um poste possui altura e formato do paraboloide dado pela equação
com raio da base 
A densidade do poste é dada pela função
A partir dessas informações, conclui-se que o centro de massa do poste está no ponto
Um cabo flexível de alta tensão, preso entre as extremidades de dois postes de mesma altura e sujeito apenas à força de seu próprio peso, formará uma curva que é solução da equação diferencial 
em que w e h são constantes.
Nessa situação hipotética, a solução geral da equação diferencial dada é
Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.
Apesar de oferecerem melhoras no desempenho, MCM não
são capazes de reduzir o tamanho de um dispositivo.
A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre
lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os
transistores NMOS usados em circuitos digitais têm
aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores
PMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a
mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das
lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto
desempenho e baixo consumo, é empregada,
predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas
transistores NMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por Ve e a saída, pela tensão Vs.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS.
É CORRETO afirmar que a expressão que descreve a função S é:
Considere a Tabela-Verdade a seguir:
A expressão booleana que corresponde aos dados da
tabela é:
Se, no circuito apresentado na figura a seguir, ambas as entradas S e C forem iguais a 0, a saída Q será igual a 0.
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