Questões de Concurso Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

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Q23731
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731 Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
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Q23719
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23719 Engenharia Eletrônica
O circuito integrado linear que atua como regulador de tensão ajustável é o
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Q19547
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19547 Engenharia Eletrônica
Imagem 038.jpg
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
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Q19546
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19546 Engenharia Eletrônica
Imagem 038.jpg
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
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Q19544
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica , Filtros , Amp Op
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19544 Engenharia Eletrônica
Considerando que um conversor digital/analógico deva ser
desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um
aparelho específico, julgue os próximos itens.
Esse conversor pode ser construído com resistores lineares e amplificador operacional.
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Q1222855
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: COMPERVE - UFRN Órgão: UFRN
Q1222855 Engenharia Eletrônica
Um sinal analógico em processo de digitalização é amostrado por uma freqüência de 44 KHz que corresponde a um valor 10% acima do recomendado pelo teorema da amostragem. 
Esse sinal analógico tem, portanto,
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Q364667
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667 Engenharia Eletrônica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.

imagem-005.jpg

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Q364665
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665 Engenharia Eletrônica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
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Q364653
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364653 Engenharia Eletrônica
Amplificadores operacionais são o bloco construtivo fundamental da eletrônica analógica. Suas características de alto ganho diferencial, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída facilitam sobremaneira o projeto de sistemas eletrônicos. Com relação às características de amplificadores operacionais, julgue os itens que se seguem.

Na aplicação do amplificador operacional como integrador, a tensão de off-set, mesmo quando de reduzido valor, faz que a saída aumente continuamente com entrada aterrada.
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Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
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Q364647
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
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Q364646
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364646 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
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Q364645
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
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Q364644
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
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Q364643
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Alternativas
Q364642
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364642 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.
Alternativas
Q364641
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Alternativas
Q364640
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Amplificadores em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364640 Engenharia Eletrônica
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.

Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.
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Q161885
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161885 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Alternativas
Q161884
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161884 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
Alternativas
Respostas
681: D
682: E
683: E
684: E
685: C
686: D
687: C
688: E
689: C
690: E
691: E
692: C
693: E
694: E
695: E
696: C
697: E
698: C
699: C
700: C
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