Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso
Foram encontradas 3.780 questões
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022956
Engenharia Eletrônica
A função de transferência Vo(s)/Vi(s) do circuito da figura, no domínio de Laplace, é
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022955
Engenharia Eletrônica
O circuito a seguir possui um amplificador operacional ideal
(Amp Op) e um diodo ideal que exibe uma queda de tensão igual
a 0,7V quando está na região de polarização direta.
A curva que melhor representa a relação entre a tensão de entrada Ve e a tensão de saída Vo do circuito é:
A curva que melhor representa a relação entre a tensão de entrada Ve e a tensão de saída Vo do circuito é:
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022954
Engenharia Eletrônica
Analise as afirmativas a seguir:
I. Dispositivos acoplados por carga (charge-coupled devices – CCD) são circuitos integrados especializados na amplificação de sinais de áudio, que apresentam consumo de energia muito reduzido quando não estão conectados a uma carga. II. Fotomultiplicadores são dispositivos semicondutores, formados por uma ou mais junções P-N. III. Em um LED, a intensidade da luz emitida é proporcional à tensão aplicada.
Está correto o que se afirma em
I. Dispositivos acoplados por carga (charge-coupled devices – CCD) são circuitos integrados especializados na amplificação de sinais de áudio, que apresentam consumo de energia muito reduzido quando não estão conectados a uma carga. II. Fotomultiplicadores são dispositivos semicondutores, formados por uma ou mais junções P-N. III. Em um LED, a intensidade da luz emitida é proporcional à tensão aplicada.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022953
Engenharia Eletrônica
São tipos de semicondutores usados para a fabricação de
dispositivos eletrônicos:
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022952
Engenharia Eletrônica
Considere que o circuito abaixo esteja operando no regime
estacionário senoidal.
A potência média e a potência reativa total dos elementos passivos do circuito são, respectivamente
A potência média e a potência reativa total dos elementos passivos do circuito são, respectivamente
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022951
Engenharia Eletrônica
Um sinal senoidal amortecido
x(t) , considerado apenas para t ≥ 0 , tem, no domínio do tempo, sua amplitude máxima igual a
10 e apresenta, na sua configuração em Laplace, no plano
complexo, dois polos complexos conjugados, dados por P1,2 = -2 ± j10 e um zero real dado por z=-2 Em face das considerações acima, a expressão temporal de x(t) é
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022950
Engenharia Eletrônica
Um sistema linear invariante no tempo possui entrada X(s),
saída Y(s) e pode ser representado pelo diagrama de blocos
abaixo.
A função de transferência Y(s)/X(s) do sistema é igual a
A função de transferência Y(s)/X(s) do sistema é igual a
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022949
Engenharia Eletrônica
A figura mostra o diagrama em blocos de uma planta em malha
fechada com realimentação de saída, característica dos sistemas
de controle. A Função de Transferência de malha aberta é:
Para esta configuração em Malha Fechada, sabe-se que quando o valor do ganho K varia positivamente de 0 a infinito, o sistema em Malha Fechada entra em INSTABIIDADE a partir de um certo ganho. O valor do ganho no limiar da INSTABILIDADE é
Para esta configuração em Malha Fechada, sabe-se que quando o valor do ganho K varia positivamente de 0 a infinito, o sistema em Malha Fechada entra em INSTABIIDADE a partir de um certo ganho. O valor do ganho no limiar da INSTABILIDADE é
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022948
Engenharia Eletrônica
Um sistema possui resposta ao impulso igual a 
Sabendo-se que H(ƒ) é obtido a partir da transformada de Fourier de h(t) e que |H(ƒ)| 2 é apresentada no gráfico acima, o valor do atraso T, em ms, é igual a
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022947
Engenharia Eletrônica
Seja o sistema do diagrama de blocos da figura.
Nele, a entrada é uma onda quadrada de frequência 1 kHz, sendo que em 50% do tempo ela está a 6 V e em 50% do tempo, a 2 V. A saída indicada será a superposição de senoides de apenas frequências iguais a: Obs.: considera-se que existe uma componente senoidal se sua amplitude, após uma decomposição de Fourier, é não nula.
Nele, a entrada é uma onda quadrada de frequência 1 kHz, sendo que em 50% do tempo ela está a 6 V e em 50% do tempo, a 2 V. A saída indicada será a superposição de senoides de apenas frequências iguais a: Obs.: considera-se que existe uma componente senoidal se sua amplitude, após uma decomposição de Fourier, é não nula.
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022946
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo é composto por 2 resistores e 1 indutor, e está
ligado a uma bateria de 12 Volts por meio da chave SW.
Inicialmente, a chave SW está aberta e não há energia armazenada no circuito. Em um determinado instante a chave SW é fechada. Para armazenar 8 Joules de energia, o circuito irá levar um total de
Inicialmente, a chave SW está aberta e não há energia armazenada no circuito. Em um determinado instante a chave SW é fechada. Para armazenar 8 Joules de energia, o circuito irá levar um total de
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022945
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo é composto de uma antena conectada a uma
linha de transmissão a ar com impedância característica
Z0 = 50Ω e comprimento d. O coeficiente de reflexão na antena
é igual a 0,2e j∏/2 na frequência de 5GHz.
O valor mínimo de d, em mm, para que a impedância ZAB nos terminais AB seja puramente resistiva, na frequência de 5GHz, é:
O valor mínimo de d, em mm, para que a impedância ZAB nos terminais AB seja puramente resistiva, na frequência de 5GHz, é:
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022944
Engenharia Eletrônica
Sejam 3 espiras concêntricas de raios R, 2R e 3R por onde
circulam correntes de mesma intensidade, porém com sentidos
definidos pela figura.
Seja B o módulo do campo magnético provocado pela espira de menor raio. O módulo do campo magnético total no centro é igual a
Seja B o módulo do campo magnético provocado pela espira de menor raio. O módulo do campo magnético total no centro é igual a
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022943
Engenharia Eletrônica
Em um espaço com permissividade ∈ , a densidade de fluxo
elétrico entre duas placas condutoras paralelas idênticas de
espessura desprezível é igual a 
na região
compreendida entre 
5cm . Sabendo-se que 
em qualquer outro lugar do espaço,
a carga elétrica contida no condutor localizado em x = 2mm é
igual a
na região
compreendida entre 5cm . Sabendo-se que em qualquer outro lugar do espaço,
a carga elétrica contida no condutor localizado em x = 2mm é
igual a
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
SEAD-AP
Prova:
FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |
Q2022942
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo está em uma região de campo magnético
constante e igual a B→ . A chave ideal C fecha em t = 2s e abre em
t = 4s.
Sabendo-se que os fios são condutores perfeitos e o voltímetro V é ideal, assinale a curva que melhor representa a tensão V12 nos terminais do voltímetro em função do tempo t.
Sabendo-se que os fios são condutores perfeitos e o voltímetro V é ideal, assinale a curva que melhor representa a tensão V12 nos terminais do voltímetro em função do tempo t.
Q2014938
Engenharia Eletrônica
A representação de números binários é largamente
utilizada nos circuitos digitais de automação industrial.
Pela regra do complemento de 2, o binário 1000 0010
representa o número
Ano: 2018
Banca:
FUMARC
Órgão:
CEMIG - MG
Prova:
FUMARC - 2018 - CEMIG - MG - Técnico de Operação de Subestações I |
Q2002196
Engenharia Eletrônica
Um sistema de aquisição de dados possui um conversor A/D de 8 bits. Sabendo-se que a resolução do conversor é de 10 mV, qual o maior valor de tensão pode
ser convertido?
Ano: 2022
Banca:
FGV
Órgão:
Senado Federal
Prova:
FGV - 2022 - Senado Federal - Analista Legislativo - Engenharia Eletrônica e Telecomunicações |
Q1983814
Engenharia Eletrônica
Uma simplificação da expressão booleana
A̅ B̅ C̅ + A̅ B C̅ + A B̅ C̅ D̅ + B̅ C D̅
é:
Ano: 2022
Banca:
Quadrix
Órgão:
SEDF
Prova:
Quadrix - 2022 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica - Edital nº 31 |
Q1976050
Engenharia Eletrônica
Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
O amplificador operacional é um dispositivo com saída de tensão que depende da diferença de corrente entre as suas duas entradas.
O amplificador operacional é um dispositivo com saída de tensão que depende da diferença de corrente entre as suas duas entradas.
Ano: 2022
Banca:
Quadrix
Órgão:
SEDF
Prova:
Quadrix - 2022 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica - Edital nº 31 |
Q1976049
Engenharia Eletrônica
Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte.
No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte.
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