Questões de Concurso Público MPU 2013 para Analista - Engenharia Elétrica
Foram encontradas 70 questões
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475231
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Considere que os meios 1 e 2 sejam dielétricos com a mesma permeabilidade magnética, que a permissividade elétrica do meio 1 seja 44% maior que a do meio 2 e que o ângulo de incidência seja de 30º. Nessa situação, o ângulo de refração β será inferior a 45º.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475232
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Se a impedância intrínseca do meio 1 for maior que a do meio 2, a onda refletida ou a onda refratada não serão necessariamente planas.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475233
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Considere que o meio 1 seja um dielétrico perfeito semi-infinito; que o meio 2 seja um condutor perfeito semi-infinito; e que uma onda com polarização vertical incida com ângulo α igual a zero. Nessa situação, a intensidade do campo elétrico refletido e a do campo elétrico transmitido serão iguais e corresponderão a 50% da intensidade do campo elétrico incidente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475234
Engenharia Elétrica
Ondas eletromagnéticas transversais (TEM) caracterizam-se por terem as componentes axiais do vetor campo elétrico e do vetor campo magnético nulas. Com relação às propriedades de guiagem de ondas TEM, julgue o próximo item.
Linhas de transmissão e guias metálicos ocos, como o guia retangular e o circular, são comumente utilizados na guiagem de ondas TEM.
Linhas de transmissão e guias metálicos ocos, como o guia retangular e o circular, são comumente utilizados na guiagem de ondas TEM.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475235
Engenharia Elétrica
Acerca das propriedades de campos elétricos em meios materiais, julgue o item.
Considere dois fios condutores e retilíneos de mesmo comprimento, designados como fio 1 e fio 2. Considere, ainda, que o diâmetro do fio 1 seja o dobro do diâmetro do fio 2 e que a condutividade elétrica do fio 1 seja 30% inferior à do fio 2. Se ambos os fios forem submetidos ao mesmo campo elétrico de intensidade constante ao longo de seus comprimentos, a corrente elétrica que flui através do fio 1 será maior do que o dobro e menor do que o triplo da corrente que flui pelo fio 2.
Considere dois fios condutores e retilíneos de mesmo comprimento, designados como fio 1 e fio 2. Considere, ainda, que o diâmetro do fio 1 seja o dobro do diâmetro do fio 2 e que a condutividade elétrica do fio 1 seja 30% inferior à do fio 2. Se ambos os fios forem submetidos ao mesmo campo elétrico de intensidade constante ao longo de seus comprimentos, a corrente elétrica que flui através do fio 1 será maior do que o dobro e menor do que o triplo da corrente que flui pelo fio 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475236
Engenharia Elétrica
Acerca das propriedades de campos elétricos em meios materiais, julgue o item .
Considere que dois meios dielétricos distintos compartilhem uma interface plana com densidade superficial de carga igual a ρs. Se os campos elétricos no interior desses dielétricos estiverem contidos em um plano normal à interface de separação e se as orientações dos campos e as respectivas permissividades elétricas ε1 e ε2 dos meios forem as indicadas na figura abaixo, a intensidade do campo elétrico no meio 2 — em função da densidade superficial de carga e da permissividade elétrica ε — será dada pela relação
Considere que dois meios dielétricos distintos compartilhem uma interface plana com densidade superficial de carga igual a ρs. Se os campos elétricos no interior desses dielétricos estiverem contidos em um plano normal à interface de separação e se as orientações dos campos e as respectivas permissividades elétricas ε1 e ε2 dos meios forem as indicadas na figura abaixo, a intensidade do campo elétrico no meio 2 — em função da densidade superficial de carga e da permissividade elétrica ε — será dada pela relação
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475237
Engenharia Elétrica
Campos magnéticos e campos elétricos são campos de força, mas, diferentemente da força elétrica, a força magnética somente atua sobre cargas em movimento. A respeito das propriedades da força magnética, julgue o item subsecutivo.
Considere uma partícula pontual de carga elétrica negativa q sobre o plano do papel, conforme mostrado na figura abaixo. Caso essa partícula seja deslocada com uma velocidade retilínea e uniforme do ponto A ao ponto B ao longo do segmento linear que os une — também contido no plano do papel — e interaja com um campo magnético constante que penetra perpendicularmente o plano do papel de cima para baixo, a direção da força magnética exercida sobre a carga será perpendicular ao segmento linear e possuirá a orientação indicada pelo vetor F mostrado na figura.
Considere uma partícula pontual de carga elétrica negativa q sobre o plano do papel, conforme mostrado na figura abaixo. Caso essa partícula seja deslocada com uma velocidade retilínea e uniforme do ponto A ao ponto B ao longo do segmento linear que os une — também contido no plano do papel — e interaja com um campo magnético constante que penetra perpendicularmente o plano do papel de cima para baixo, a direção da força magnética exercida sobre a carga será perpendicular ao segmento linear e possuirá a orientação indicada pelo vetor F mostrado na figura.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475238
Engenharia Elétrica
Campos magnéticos e campos elétricos são campos de força, mas, diferentemente da força elétrica, a força magnética somente atua sobre cargas em movimento. A respeito das propriedades da força magnética, julgue o item subsecutivo.
Considere uma corrente de 3 A fluindo através de uma barra condutora reta de resistência 5 mΩ, resistividade 2×10-8 Ωm e área de seção transversal de 2 mm2 . Se a barra for submetida a um campo magnético de 3 T perpendicular ao seu comprimento, a intensidade da força magnética resultante desse campo e exercida sobre a barra será maior que 4 N.
Considere uma corrente de 3 A fluindo através de uma barra condutora reta de resistência 5 mΩ, resistividade 2×10-8 Ωm e área de seção transversal de 2 mm2 . Se a barra for submetida a um campo magnético de 3 T perpendicular ao seu comprimento, a intensidade da força magnética resultante desse campo e exercida sobre a barra será maior que 4 N.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475239
Engenharia Elétrica
Em relação às características dos campos eletrostáticos e magnetostáticos, julgue o próximo item.
Considere um fio condutor retilíneo e de comprimento infinito percorrido por uma corrente contínua de valor I que gera um campo magnetostático de intensidade H em um ponto do espaço situado a uma distância r perpendicular ao fio. Para que a intensidade do campo magnetostático permaneça igual a H a uma distância 2r perpendicular ao fio, o fio deverá ser alimentado com uma corrente de valor 4I.
Considere um fio condutor retilíneo e de comprimento infinito percorrido por uma corrente contínua de valor I que gera um campo magnetostático de intensidade H em um ponto do espaço situado a uma distância r perpendicular ao fio. Para que a intensidade do campo magnetostático permaneça igual a H a uma distância 2r perpendicular ao fio, o fio deverá ser alimentado com uma corrente de valor 4I.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475240
Engenharia Elétrica
Em relação às características dos campos eletrostáticos e magnetostáticos, julgue o próximo item.
Se o circuito ilustrado a seguir estiver operando em regime permanente, a energia potencial armazenada no campo elétrico do capacitor e a quantidade de carga acumulada em sua placa positiva corresponderão, respectivamente, a 72 μJ e 12 μC.
Se o circuito ilustrado a seguir estiver operando em regime permanente, a energia potencial armazenada no campo elétrico do capacitor e a quantidade de carga acumulada em sua placa positiva corresponderão, respectivamente, a 72 μJ e 12 μC.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475241
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
O tamanho da memória RAM é superior a 2.000 bytes.
O tamanho da memória RAM é superior a 2.000 bytes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475242
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
O tamanho total da memória, incluindo ROM e RAM, é superior a 30.000 bytes.
O tamanho total da memória, incluindo ROM e RAM, é superior a 30.000 bytes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475243
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
A parte volátil da memória possui tamanho maior do que a parte não volátil.
A parte volátil da memória possui tamanho maior do que a parte não volátil.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475244
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Caso a memória RAM seja dinâmica, não será necessário incluir, na implementação do computador, circuitos que propiciem sinais de refresh.
Caso a memória RAM seja dinâmica, não será necessário incluir, na implementação do computador, circuitos que propiciem sinais de refresh.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475245
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Para endereçar todos os endereços de memória RAM, será necessário utilizar pelo menos 10 linhas de endereço, além das linhas de controle de leitura e escrita.
Para endereçar todos os endereços de memória RAM, será necessário utilizar pelo menos 10 linhas de endereço, além das linhas de controle de leitura e escrita.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475246
Noções de Informática
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Em alguns casos, é possível substituir a memória ROM, que não permite apagamento e de conteúdo, por uma PROM, na qual o conteúdo pode ser apagado por meio de exposição do circuito integrado à luz ultravioleta.
Em alguns casos, é possível substituir a memória ROM, que não permite apagamento e de conteúdo, por uma PROM, na qual o conteúdo pode ser apagado por meio de exposição do circuito integrado à luz ultravioleta.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475247
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
O tamanho da memória ROM é inferior a 1.000 bytes.
O tamanho da memória ROM é inferior a 1.000 bytes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475248
Arquitetura de Computadores
Acerca dos conceitos relacionados a organização, componentes e software de microcomputadores, julgue o item a seguir.
A capacidade de geração eficiente de códigos objetos pode aumentar a eficiência do pipeline, caso as instruções em código de máquina sejam ordenadas de forma adequada; portanto, em computadores que utilizam essa técnica, a qualidade dos compiladores é um fator relevante.
A capacidade de geração eficiente de códigos objetos pode aumentar a eficiência do pipeline, caso as instruções em código de máquina sejam ordenadas de forma adequada; portanto, em computadores que utilizam essa técnica, a qualidade dos compiladores é um fator relevante.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475249
Arquitetura de Computadores
Acerca dos conceitos relacionados a organização, componentes e software de microcomputadores, julgue o item a seguir.
Em computadores que utilizam barramento de dados para a comunicação entre o microprocessador e outras partes do microcomputador, tais como as memórias e os dispositivos de entrada e saída, não é possível conectar portas de três estados ao barramento de dados, visto que portas que assumem o estado de alta impedância não devem ser ligadas a esse tipo de barramento.
Em computadores que utilizam barramento de dados para a comunicação entre o microprocessador e outras partes do microcomputador, tais como as memórias e os dispositivos de entrada e saída, não é possível conectar portas de três estados ao barramento de dados, visto que portas que assumem o estado de alta impedância não devem ser ligadas a esse tipo de barramento.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475250
Arquitetura de Computadores
Acerca dos conceitos relacionados a organização, componentes e software de microcomputadores, julgue o item a seguir.
Caso um projetista de microprocessadores deseje desenvolver um novo microprocessador com arquitetura do tipo RISC, ele deverá desenvolver o maior conjunto possível de instruções e o maior número possível de formatos, de forma que o número de instruções executadas em cada programa seja mínimo.
Caso um projetista de microprocessadores deseje desenvolver um novo microprocessador com arquitetura do tipo RISC, ele deverá desenvolver o maior conjunto possível de instruções e o maior número possível de formatos, de forma que o número de instruções executadas em cada programa seja mínimo.
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