Questões de Concurso Público CTI 2024 para Tecnologista Pleno 2 - I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Nanotecnologia e Materiais Avançados Aplicados A Fotônica ou Energia
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A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Um dispositivo fotovoltaico deve ter ao menos um terminal
de entrada que permita a passagem de luz.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Em uma célula fotovoltaica de silício, a luz deve atingir a
região de depleção para que, após a fotogeração do éxciton,
elétrons e buracos tendam a migrar e serem coletados pelos
eletrodos antes de uma eventual recombinação, que ocorreria
com maior probabilidade nas regiões n e p.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por
em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de
idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a
temperatura e q é a carga do elétron.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
No plano xOy, a curva característica de corrente (eixo-x)
versus tensão (eixo-y) em uma célula fotovoltaica ideal como
a do modelo apresentado é representada por uma função com
exatamente duas raízes reais
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com
silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir
níveis de energia indesejados nas bandas do sistema,
atrapalhando o fluxo de corrente.
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