Questões de Concurso Público FIOCRUZ 2016 para Técnico em Saúde Pública - Eletrônica
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Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em m A, vale:
Para o circuito a seguir, são dados: .
⋅um transitor de silício em que VCC = 12 V, VCE =7 V, IB = 100 µ A e β = 100.
Pode-se afirmar que a potência dissipada em RE , em
mW, vale:
Analise as assertivas sobre os transistores.
1 - BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.
2 - JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.
3 - MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.
4 - FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.
Das afirmativas acima: estão corretas: