Abaixo temos uma representação esquemática de uma
junção PN. Pelo processo de dopagem são inseridos
na região da junção (região de depleção ou região
de carga espacial) portadores do tipo N (elétrons) e
portadores do tipo P (buracos). Essa distribuição de
carga é, então responsável pelo surgimento de uma
barreira de potencial eletrostático aos portadores que
forem cruzar a junção. Através de um campo externo
essa barreira pode ser reduzida permitindo o trânsito
de portadores (polarização direta) e portanto o diodo
permite a passagem de portadores em apenas uma
direção.
Considerando uma região de depleção na forma de
um cubo, e que a densidade de carga em cada lado da
junção é uniforme em módulo Q/L
3
. Utilizando a Lei de
Gauss dE/dx = Q/(ε L
3) e a definição de tensão dV/dx
= -E, a diferença total de tensão entre os extremos de
cada lado da junção será: